[实用新型]一种高性能半导体器件有效
| 申请号： | 201220468753.1 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN202816933U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 罗艳玲 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523750 广东省东莞市黄江镇裕元工*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能半导体器件，包括电路基板（1）和管脚（2），其特征在于：还包括分别设置于对应的电路基板（1）上的MOS芯片（3）和IC芯片（4），所述MOS芯片（3）通过铜线（5）分别与管脚（2）和电路基板（1）电连接，所述IC芯片（4）通过金线（6）分别与MOS芯片（3）、管脚（2）和电路基板（1）电连接。
2.如权利要求1所述的一种高性能半导体器件，其特征在于：还包括引线框架（7），所述管脚（2）和电路基板（1）设置于引线框架（7）的焊接区。
3.如权利要求2所述的一种高性能半导体器件，其特征在于：所述引线框架（7）的焊接区对应的外部设置有散热片（8）。
4.如权利要求1所述的一种高性能半导体器件，其特征在于：所述铜线（5）和金线（6）表面均包覆有包覆层。
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