[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201220472539.3 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN203013782U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;张旺 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，所述芯片包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和导电层，所述衬底为图形化的衬底，所述p型氮化物层与导电层相接触的表面上分布有坑状结构，所述坑状结构位于p型氮化物层上，所述坑状结构内覆盖具有绝缘特性的阻挡层。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述阻挡层为SiNx层或SiO2层。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述坑状结构垂直方向的截面为“V”型。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述坑状结构的深度为5～50nm。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在发光层和p型氮化物层之间的AlGaN阻挡层。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述缓冲层包括：第一本征氮化镓层和形成在第一本征氮化镓层之上的第二本征氮化镓层。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一本征氮化镓层的厚度为20~30μm，所述第二本征氮化镓层的厚度为2~4μm。
8.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述p型氮化物层包括：镁掺杂p型氮化镓和重掺杂p型氮化铟镓。
9.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底的形状包括条状、柱状、尖锥状或球冠形状。
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