[实用新型]一种碳化硅电力电子器件有效
| 申请号： | 201220474481.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN202888167U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李锡光;萧黎鑫;黎秀靖;张新河;俞军;刘丹;潘胜 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 电力 电子器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅电力电子器件，其特征在于：该器件包括：一碳化硅半导体薄膜（1）以及形成于碳化硅半导体薄膜（1）上的掩膜层（2），所述的掩膜层（2）为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案（22），该氧化硅薄膜图案（22）间形成有间隙（20）。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅电力电子器件，其特征在于：所述的氧化硅薄膜图案（22）呈平行长条状。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅电力电子器件，其特征在于：所述的氧化硅薄膜图案（22）呈叉指状。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅电力电子器件，其特征在于：所述的氧化硅薄膜图案（22）呈正方形台面状。
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