[实用新型]一种发光二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管是一种半导体固定发光器件，其直接可以将电能转化为光能。目前，发光二极管已广泛地用于显示屏、背光源、照明等领域。发光二极管芯片是半导体晶片，是发光二极管的核心组件。

发光二极管芯片包括衬底以及依次生长在衬底上的n型层、MQWs（Multiple Quantum Wells，多量子阱）层和p型层，芯片上设有从p型层刻蚀到n型层的凹槽，凹槽内的n型层上设有n型焊盘，p型层上设有p型焊盘。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

现有的发光二极管芯片的n型焊盘是制作在凹槽内的n型层上，制作凹槽时需要刻蚀掉部分发光区（多量子阱层）至n型层，当发光二极管芯片为中小型功率的发光二极管芯片时，其芯片尺寸较小，制作n型焊盘时刻蚀掉的发光区的面积占到发光二极管芯片总发光区的面积的10%，减小了发光二极管芯片的发光面积，影响了发光二极管的亮度，降低了发光二极管的发光效率。

实用新型内容

为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片。所述技术方案如下：

一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，所述p型层上设有p型焊盘，所述p型层上设有盲孔，所述盲孔从所述p型层延伸至所述n型层，所述盲孔的一端设有n型焊盘且所述n型焊盘位于所述p型层上，所述盲孔内设有将所述n型焊盘与所述n型层电连接的导电结构，所述n型焊盘与所述p型层之间、所述导电结构与所述p型层之间以及所述导电结构与所述多量子阱层之间设有绝缘层。

优选地，所述盲孔为垂直盲孔。

优选地，所述盲孔的孔径为5-10um。

优选地，所述导电结构为导电胶。

优选地，所述绝缘层为SiO₂层。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在p型层设有盲孔，盲孔从p型层延伸至n型层，将n型焊盘设置在盲孔的上方的p型层上，并在盲孔内填充导电结构使得n型焊盘与n型层电连接，从而减小了制作n型焊盘时需要刻蚀掉的发光面积，相较于传统的发光二极管芯片，本实用新型的发光二极管芯片相应地增大了发光面积，从而提高了发光二极管芯片的亮度和发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种发光二极管芯片的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

实施例

本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，参见图1，该芯片包括：

衬底1以及依次层叠在衬底1上的n型层2，多量子阱层3和p型层4，p型层4上设有p型焊盘41，p型层4上设有盲孔5，盲孔5从p型层4延伸至n型层2，盲孔5的一端设有n型焊盘42且n型焊盘42位于p型层4上，盲孔5内设有将n型焊盘42与n型层2电连接的导电结构51，n型焊盘42与p型层4之间、导电结构51与p型层4之间以及导电结构51与多量子阱3之间设有绝缘层52。

具体地，衬底1可以为蓝宝石衬底。

优选地，盲孔5可以为垂直盲孔。

优选地，盲孔5的孔径为5-10um。

优选地，导电结构51可以为导电胶。通过在盲孔5内铺设导电胶，通过导电胶实现n型焊盘42与n型层2的电连接，工艺简单，易于操作。

优选地，绝缘层52可以为SiO₂层。通过设置SiO₂层，实现n型焊盘42与p型层4、多量子阱层3的电绝缘，保证了芯片的导电结构稳定。