[实用新型]基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器有效
申请号: | 201220486146.8 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN202798619U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 戴大富;王志勇;张丽君 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H03K3/335 | 分类号: | H03K3/335 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人: | 金惠贞 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 雪崩 晶体管 皮秒级高 功率 宽带 脉冲 信号发生器 | ||
1.一种基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器,其特征在于包括如下组成部分:
偏置电压VCC,用于向信号发生器供电;
触发输入端,用于输入TTL电平的触发信号,并引发信号发生器中的各级雪崩三极管的雪崩效应,所述触发输入端通过限流电阻R1与Marx电路相连,所述限流电阻R1还通过基极偏置电阻R2接地;
Marx电路,所述Marx电路由依次级联的起始雪崩单元和多级雪崩单元共同构成;
所述起始雪崩单元由起始集电极电阻、起始雪崩电容、起始雪崩三极管构成,起始雪崩单元通过起始集电极电阻与所述偏置电压VCC的输出端相连,起始集电极电阻的另一端一方面与起始雪崩电容相连,另一方面与起始雪崩三极管的集电极相连,起始雪崩三极管的发射极接地,起始雪崩三极管的基极通过限流电阻R1与触发输入端相连,所述起始雪崩电容的远离起始集电极电阻的一端则与多级雪崩单元中第一级雪崩单元的雪崩三极管的基极相连;
多级雪崩单元中的每一级雪崩单元均由集电极电阻、雪崩电容、雪崩三极管和发射极电阻构成;任一级雪崩单元均通过集电极电阻与所述偏置电压VCC的输出端相连,集电极电阻的另一端一方面与雪崩电容相连,另一方面与本级雪崩单元中的雪崩三极管的集电极相连,本级雪崩单元中的雪崩三极管的发射极通过发射极电阻接地,本级雪崩单元中的雪崩电容的远离集电极电阻的一端则与相邻雪崩单元的雪崩三极管的基极相连;最后一级雪崩单元的电容一方面通过负载电阻RL接地,另一方面接信号发生器的输出端。
2.根据权利要求1所述的基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器,其特征在于:所述Marx电路中的雪崩单元级数为5~30级。
3.根据权利要求1或2所述的基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器,其特征在于:所述限流电阻R1和基极偏置电阻R2均采用功率为0.25W、阻值为100Ω的片式电阻;起始雪崩单元中的起始集电极电阻和多级雪崩单元中的集电极电阻均采用功率为20W、阻值为5.1kΩ的片式射频电阻;起始雪崩单元中的起始雪崩电容和多级雪崩单元中的雪崩电容均采用额定电压为500V、电容为51pf的片式射频电容;多级雪崩单元中的发射极电阻均采用功率为20W、阻值为2kΩ的片式射频电阻;负载电阻RL阻值为50Ω。
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