[实用新型]一种离线低压直流输出电路及其晶片有效
申请号: | 201220490329.7 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN202872672U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 约瑟夫俄依恩扎 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | H02M7/12 | 分类号: | H02M7/12;H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离线 低压 直流 输出 电路 及其 晶片 | ||
1.一种离线低压直流输出电路,其特征在于,所述离线低压直流输出电路包括:
第一输入端口和第二输入端口,用以接收交流输入信号;
输出端口,用以提供整流输出信号;
第一耗尽型高压传输晶体管,耦接至第一输入端口接收交流输入信号,基于所述交流输入信号,所述第一耗尽型高压传输晶体管提供第一电压;
第二耗尽型高压传输晶体管,耦接至第二输入端口接收交流输入信号,基于所述交流输入信号,所述第二耗尽型高压传输晶体管提供第二电压;以及
整流桥,具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子,其第一输入端子耦接至第一耗尽型高压传输晶体管接收第一电压,其第二输入端子耦接至第二耗尽型高压传输晶体管接收第二电压,其输出端子耦接至输出端口。
2.如权利要求1所述的离线低压直流输出电路,其特征在于,其中所述第一耗尽型高压传输晶体管和第二耗尽型高压传输晶体管均包括耦接至参考地的门极。
3.如权利要求1所述的离线低压直流输出电路,其特征在于,所述离线低压直流输出电路进一步包括镇流电阻,耦接在第一耗尽型高压传输晶体管和第二耗尽型高压传输晶体管的衬底和参考地之间。
4.如权利要求3所述的离线低压直流输出电路,其特征在于,其中所述镇流电阻包括寄生电阻或定义电阻。
5.如权利要求1所述的离线低压直流输出电路,其特征在于,其中所述第一耗尽型高压传输晶体管包括第一耗尽型高压JFET;第二耗尽型高压传输晶体管包括第二耗尽型高压JFET。
6.如权利要求1所述的离线低压直流输出电路,其特征在于,所述离线低压直流输出电路进一步包括有源电路,耦接在第一耗尽型高压传输晶体管和第二耗尽型高压传输晶体管的衬底和参考地之间。
7.如权利要求6所述的离线低压直流输出电路,其特征在于,其中所述有源电路包括负电荷泵。
8.一种集成离线低压直流输出电路的晶片,其特征在于,所述晶片包括:
一系列少子产生器件;
一系列N井可合并的器件;
一系列不可合并的器件;
被分别设置在所述晶片左右两侧的第一区域和第二区域;
被放置在第一区域和第二区域之间的N型井岛;以及
晶片密封环;其中
少子产生器件被放置在第一区域和第二区域;
N井可合并的器件被放置在N型井岛;
不可合并的器件被放置在晶片上靠近晶片密封环处或者靠近晶片边缘处。
9.如权利要求8所述的集成离线低压直流输出电路的晶片,其特征在于,所述晶片进一步包括形成在所述N型井岛上的N型掩埋层,其中所述N型井岛和所述N型掩埋层作为少子汇集区。
10.如权利要求8所述的集成离线低压直流输出电路的晶片,其特征在于,其中所述少子产生器件包括第一耗尽型高压传输晶体管和第二耗尽型高压传输晶体管。
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