[实用新型]用于传感器芯片的开放式封装结构

权利要求书

1.一种用于传感器芯片的开放式封装结构，包括承载衬底（1）及位于所述承载衬底（1）上的传感器结构（2）；其特征是：所述承载衬底（1）上键合固定有封装封盖（8），所述封装封盖（8）包括用于与承载衬底（1）键合连接的封盖基体，所述封盖基体内包括用于容纳传感器结构（2）的腔体（9）；封盖基体与承载衬底（1）键合连接后，传感器结构（2）伸入腔体（9）内；传感器结构（2）的上方设有若干用于探测外界环境的探测孔（6），所述探测孔（6）与腔体（9）相连通，探测孔（6）的内壁覆盖有防粘层（7），且所述防粘层（7）覆盖封盖基体与外界接触的对应表面。

2.根据权利要求1所述的用于传感器芯片的开放式封装结构，其特征是：所述封盖基体包括用于与承载衬底（1）键合连接的体式封盖（3）或薄膜封盖（10）；所述封盖基体采用薄膜封盖（10）时，薄膜封盖（10）的第一表面与承载衬底（1）相键合，探测孔（6）贯通薄膜封盖（10）后与腔体（9）相连通；所述探测孔（6）的孔径为1μm~100μm。

3.根据权利要求1所述的用于传感器芯片的开放式封装结构，其特征是：所述封盖基体包括用于与承载衬底（1）键合连接的体式封盖（3）或薄膜封盖（10）；所述封盖基体采用体式封盖（3）时，体式封盖（3）的第一表面与承载衬底（1）键合连接，第二表面覆盖有防粘层（7）；贯通体式封盖（3）的探测孔（6）与腔体（9）相连通，所述探测孔（6）的孔径为1μm~100μm。

4.根据权利要求1所述的用于传感器芯片的开放式封装结构，其特征是：所述封盖基体包括用于与承载衬底（1）键合连接的体式封盖（3）或薄膜封盖（10）；所述封盖基体采用体式封盖（3）时，所述腔体（9）的侧壁上设有第一导电层（14），所述第一导电层（14）上覆盖有阳极氧化种子层（15）；在腔体（9）的底壁上形成多孔阳极物薄膜（17）；探测孔（6）为贯通多孔阳极氧化物薄膜（17）的孔状结构，且探测孔（6）与贯通体式封盖（3）的第一窗口（18）相连通，所述第一窗口（18）位于探测孔（6）的正上方，所述探测孔（6）的孔径为10nm~1μm。

5.根据权利要求2所述的用于传感器芯片的开放式封装结构，其特征是：所述封盖基体包括用于与承载衬底（1）键合连接的体式封盖（3）或薄膜封盖（10）；所述封盖基体为体式封盖（3）时，所述体式封盖（3）的第一表面与承载衬底（1）键合连接，第二表面覆盖有第二导电层（19）；贯通第二导电层（19）的导电层开孔（20）与贯通体式封盖（3）的第二窗口（22）及位于第二窗口（22）下方的腔体（9）相连通；第二导电层（19）上设置若干电纺纤维（24），位于导电层开孔（20）上方的电纺纤维（24）与导电层开孔（20）间配合形成所需的探测孔（6），防粘层（7）覆盖第二窗口（22）的内壁、导电层开孔（20）的内壁、第二导电层（19）及电纺纤维（24）的表面。

6.根据权利要求4所述的用于传感器芯片的开放式封装结构，其特征是：所述多孔阳极氧化物薄膜（17）包括氧化钛薄膜、氧化铝薄膜或氧化硅薄膜。

7.根据权利要求1所述的用于传感器芯片的开放式封装结构，其特征是：所述防粘层（7）的材料包括聚四氟乙烯特氟龙、聚对二甲苯、全氟癸羧酸、全氟辛基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、氯代硅烷、氯氟硅烷、甲氧基硅烷、三氯硅烷、硅酮、聚苯乙烯、聚氨基甲酸酯或聚硅氮烷。