[实用新型]一种薄膜温度烧蚀复合传感器

权利要求书

1.一种薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述薄膜温度烧蚀复合传感器（1）包括基片（2），设于基片（2）上的过渡膜（3），设于过渡膜（3）上的薄膜热电偶阵列；所述薄膜热电偶阵列上设有保护膜（6）；所述薄膜热电偶阵列由两个以上包括A电极（4）和B电极（5）的薄膜热电偶（10）构成；所述薄膜热电偶（10）包括将薄膜热电偶（10）的热电势信号引出的补偿导线（7）。

2.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述基片（2）直径为50mm～150mm，厚度0.5mm～1mm；所述过渡膜（3）厚度为0.05μm～0.1μm；所述薄膜热电偶（10）的厚度为0.2μm～0.5μm；所述保护膜（6）厚度为0.1μm～0.2μm。

3.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述薄膜热电偶（10）为R型热电偶、B型热电偶或S型热电偶。

4.如权利要求3所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述薄膜热电偶（10）为R型热电偶。

5.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述基片（2）材料为Al₂O₃陶瓷；所述过渡膜（3）材料为Ta₂O₅；所述保护膜（6）为电介质材料。

6.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述保护膜（6）材料为SiO₂。