[实用新型]具有低导通电阻的栅压自举开关有效
| 申请号： | 201220495197.7 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN202906867U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 谢循;方飞 | 申请（专利权）人： | 泰凌微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 通电 开关 | ||
1.一种具有低导通电阻的栅压自举开关，包含：作为开关的金属氧化物半导体MOS晶体管（M1）、与该MOS晶体管（M1）相连的栅压自举电路，其特征在于，
所述MOS晶体管（M1）的衬底通过一控制开关与本MOS晶体管（M1）的源端相连。
2.根据权利要求1所述的具有低导通电阻的栅压自举开关，其特征在于，
所述控制开关为MOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的具有低导通电阻的栅压自举开关，其特征在于，
所述控制开关为所述栅压自举电路中，漏端与所述作为开关的MOS晶体管的源端和输入信号相连的MOS晶体管（M10）；
其中，所述漏端与所述作为开关的MOS晶体管的源端和输入信号相连的MOS晶体管（M10）的源端直接连接所述作为开关的MOS晶体管（M1）的衬底。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的具有低导通电阻的栅压自举开关，其特征在于，
所述作为开关的MOS晶体管（M1）为N型MOS晶体管。
5.一种具有低导通电阻的栅压自举开关，其特征在于，包含：由第一金属氧化物半导体MOS晶体管和第二MOS晶体管构成的开关、与该第一MOS晶体管相连的栅压自举电路；
所述第一MOS晶体管的源极接输入信号，所述第一MOS晶体管的漏 极接所述第二MOS晶体管的源极；
所述第二MOS晶体管的栅极接所述第一MOS晶体管的栅极；所述第二MOS晶体管的漏极作为输出信号输出；
所述第一MOS晶体管的衬底与该第一MOS晶体管的源极短接；所述第二MOS晶体管的衬底与该第二MOS晶体管的漏极短接。
6.根据权利要求5所述的具有低导通电阻的栅压自举开关，其特征在于，
所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均为N型MOS晶体管。
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