[实用新型]磁控电抗器有效
| 申请号： | 201220497477.1 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN202949390U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 宇文博 | 申请（专利权）人： | 北京三得普华科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H02P13/00 | 分类号： | H02P13/00;H02J3/18;H01F27/30;H01F27/40 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电抗 | ||
1.一种磁控电抗器，其特征在于，所述磁控电抗器包括：电抗器绕组、电源电路和退磁电路；
所述电抗器绕组包括铁芯和绕在所述铁芯周围的线圈；所述退磁电路连接于所述电源电路的输出端与所述电抗器绕组的线圈之间；
所述电源电路产生工作电流并经过所述退磁电路输出给所述线圈。
2.根据权利要求1所述的磁控电抗器，其特征在于：所述退磁电路包括第一可控器件、第二可控器件、隔离变压器和缓冲元件；
所述第一可控器件连接于所述电源电路的一个输出端与所述线圈的一个输入端之间；
所述第二可控器件与电容串联，并与所述第一可控器件并联连接；
所述隔离变压器的副边绕组经过第一二极管和电阻与所述电容相并联；
所述缓冲元件经过第二二极管与所述线圈的两个输入端相连接。
3.根据权利要求2所述的磁控电抗器，其特征在于：所述第一可控器件或第二可控器件具体为可控硅、门极可关断晶闸管、绝缘双极型晶体管、集成门极换流晶闸管或电子注入增强栅晶体管。
4.根据权利要求2所述的磁控电抗器，其特征在于：所述的缓冲元件具体为电容或电阻。
5.根据权利要求2所述的磁控电抗器，其特征在于：所述的缓冲元件具体为过压保护器。
6.根据权利要求5所述的磁控电抗器，其特征在于：所述过压保护器具体为避雷器。
7.根据权利要求1所述的磁控电抗器，其特征在于：所述电源电路包括并联的第一整流桥和第二整流桥。
8.根据权利要求7所述的磁控电抗器，其特征在于：所述第一整流桥具体为桥式半控整流桥或桥式全控整流桥；
所述第二整流桥具体为桥式全控整流桥。
9.根据权利要求1所述的磁控电抗器，其特征在于：所述电抗器绕组包括两个铁芯，每个所述铁芯上绕有两组线圈，四组线圈交叉并联，并与所述电源电路的两个输出端相连接。
10.根据权利要求9所述的磁控电抗器，其特征在于：每个所述铁芯的两组所述线圈之间还连接有可控器件，且两个所述可控器件的导通方向相反。
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