[实用新型]鳍式双极结型晶体管有效
| 申请号： | 201220499149.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202816952U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 夏维;陈向东 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍式双极结型 晶体管 | ||
1.一种鳍式双极结型晶体管，包括：
宽集电极，其位于半导体衬底中；
鳍式基极，其被置于所述宽集电极上方；
鳍式发射极和外延发射极，其被置于所述鳍式基极上方；
其中，所述鳍式双极结型晶体管的窄基极-发射极结通过所述鳍式基极和所述鳍式发射极形成，且其中，所述外延发射极为所述鳍式双极结型晶体管提供增强的电流传导性。
2.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述外延发射极外延形成在所述鳍式发射极上。
3.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管，包括位于所述鳍式基极以下的基极阱，其中，所述基极阱位于所述宽集电极中。
4.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管，包括形成在所述宽集电极上方的介电层。
5.根据权利要求4所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述鳍式基极被置于所述介电层内和所述宽集电极上方。
6.根据权利要求4所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述外延发射极形成在所述介电层和所述鳍式基极上方。
7.根据权利要求4所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述介电层是浅沟槽隔离层。
8.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述鳍式基极和所述鳍式发射极与所述半导体衬底合并成一体且与所述半导体衬底连续。
9.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述鳍式基极和所述鳍式发射极包括单晶硅。
10.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述外延发射极包括多晶硅。
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