[实用新型]一种用于镀镍芯片的去胶炉

说明书

技术领域

本实用新型属于芯片镀镍的技术领域，具体的涉及一种用于镀镍芯片的去胶炉。 

背景技术

在芯片的化学镀镍过程中，为了避免芯片表面的玻璃钝化层接触到氢氟酸而有所损伤，通常采用光刻胶对玻璃钝化层进行保护，但是在镀镍完成后，存在光刻胶不好去除的问题。现有的去胶方式为化学方式去除，是利用硫酸将光刻胶碳化去除的方式，一般这种方式只能在芯片金属化前来操作，而且采用该化学去胶的方式会严重的损坏镀镍层，且会使镀镍层发生质的变化。也有用低温链式隧道炉来实现在芯片金属化后进行去胶的，但低温链式隧道炉在完成镍硅合金时温度太低，实现不了工艺要求的合金层。 

发明内容

本实用新型的目的在于针对上述存在的缺陷而提供一种用于镀镍芯片的去胶炉，该用于镀镍芯片的去胶炉既能在满足镀镍的要求下去除光刻胶，同时又可以在去除光刻胶的过程中，不破坏镀镍层。

本实用新型的技术方案为：一种用于镀镍芯片的去胶炉，包括炉体，所述炉体的炉膛内安装有石英炉管，石英炉管的一端有进气口，该进气口连接有进气管，进气管上设有流量计；在石英炉管的管壁外部设有加热丝，该加热丝固定于炉膛内；所述炉体连接有温控仪表。

所述加热丝均匀环绕分布在所述石英炉管的管壁外部。加热丝均匀环绕分布在石英炉管的管壁外部，使得整个加热为环绕式加热，这样整个石英炉管的管壁可以均匀受热，从而所需去胶的镀镍芯片在石英炉管内均匀受热，避免出现因导热不均而造成光刻胶燃烧不均，不彻底。

所述流量计为浮子流量计。

本实用新型的有益效果为：本实用新型所述的用于镀镍芯片的去胶炉既取代了化学去胶的方式，解决传统化学去胶对金属层的影响。同时也克服了链式隧道炉因低温而不能满足镍硅合金工艺要求的问题，该用于镀镍芯片的去胶炉采用石英炉管，石英炉管可以耐高温，同时配置有温控仪表对用于镀镍芯片的去胶炉的炉温进行控制，这样去除光刻胶和对镍硅进行合金就可以在同一炉体内分别单次完成，不需要出炉，减少生产时间，提高了生产效率。

所述用于镀镍芯片的去胶炉的石英炉管一端有进气口，该进气口连接有进气管，进气管上设有流量计。这样在进行去除光刻胶操作时，可以通过进气管和进气口向石英炉管内输送保护气惰性气体例如氮气，在氮气保护的氛围下去除光刻胶，可以避免在高温环境下，光刻胶燃烧过程中对芯片的镀镍层造成破坏。

由上述描述可知，本实用新型的用于镀镍芯片的去胶炉既能在满足镀镍的要求下去除光刻胶，同时又可以在去除光刻胶的过程中，不破坏镀镍层。并且该用于镀镍芯片的去胶炉的去胶速度快，单次可以去除600片左右，化学去胶法，单次只能去除50片左右。

附图说明

图1 为本实用新型具体实施方式中用于镀镍芯片的去胶炉的结构示意图。

    其中，1为炉体，2为炉膛，3为石英炉管，4为进气口，5为进气管，6为流量计，7为加热丝，8为温控仪表。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型的技术方案进行详细的说明。

从图1中可以看出，本实用新型的一种用于镀镍芯片的去胶炉，包括炉体1，所述炉体1的炉膛2内安装有石英炉管3，石英炉管3的一端有进气口4，该进气口4连接有进气管5，进气管5上设有流量计6；在石英炉管3的管壁外部设有加热丝7，该加热丝7固定于炉膛2内；所述炉体1连接有温控仪表8。

所述加热丝7均匀环绕分布在所述石英炉管3的管壁外部。加热丝7均匀环绕分布在石英炉管3的管壁外部，使得整个加热为环绕式加热，这样整个石英炉管3的管壁可以均匀受热，从而所需去胶的镀镍芯片在石英炉管3内均匀受热，避免因导热不均而造成的光刻胶燃烧不均，不彻底。

所述流量计6为浮子流量计。

将镀镍完成后的芯片放入至用于镀镍芯片的去胶炉的石英炉管3内，先通过进气管5和进气口4向石英炉管3内送入保护气惰性气体例如氮气，再通过温控仪表8控制温度在400℃～550℃，使得光刻胶进行燃烧，待光刻胶燃烧碳化充分后，通过温控仪表8调节温度至550℃～700℃，使得镍硅进行合金。在光刻胶去除过程中，通过流量计6控制好氮气的流量，在确保镀镍层不被氧化的前提下尽可能将氮气流量调小，将流量控制在6～10L为佳，避免光刻胶在燃烧碳化后的灰尘飞扬。