[实用新型]调压电路有效
申请号: | 201220509019.5 | 申请日: | 2012-10-07 |
公开(公告)号: | CN202795118U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 周晓东;王晓娟;王纪云 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调压 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种调压电路。
背景技术
调压是电路中经常用到的电路模块,用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件,但是晶闸管的面积较大,发热较大,消耗的功率也较大,根本不适用于集成电路,一般是在芯片外接调压电路。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种MOS结构的调压电路。
本实用新型采用的技术方案是这样的:本实用新型的一种调压电路,该电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管;所述第一NMOS晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地,源极接地,漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二NMOS晶体管的栅极以及通过第二电阻连接至电压源;肖特基势垒二极管的正极端接地;第二NMOS晶体管的源极接地,漏极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成,电路结构简单。
在上述的电路中,所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管为参数相同的NMOS晶体管。
在上述的电路中,所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成,且电路结构简单。
附图说明
图1是本实用新型调压电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,是本实用新型调压电路的电路原理图。
下面结合图1对本实用新型上述各电子元器件间的连接关系做详细说明:一种调压电路,该电路包括第一NMOS晶体管Q1、第二NMOS晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、可调电阻RW1和肖特基势垒二极管Z1;所述第一NMOS晶体管Q1的栅极通过第一电阻R1连接至电压源VDD并通过可调电阻RW1连接至地GND,源极接地GND,漏极连接至肖特基势垒二极管Z1的负极端、第二NMOS晶体管Q2的栅极以及通过第二电阻R2连接至电压源VDD;肖特基势垒二极管Z1的正极端接地;第二NMOS晶体管Q2的源极接地GND,漏极作为输出端Vout的负极。
在本实用新型上述的电路中,所述第一NMOS晶体管Q1和第二NMOS晶体管Q2为参数相同的NMOS晶体管。
在本实用新型上述的电路中,所述第一电阻R1和第二电阻R2为参数相同的电阻。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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