[实用新型]过零检测电路结构有效
申请号: | 201220509247.2 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN202794317U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 张骁宇 | 申请(专利权)人: | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
主分类号: | G01R19/175 | 分类号: | G01R19/175 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 电路 结构 | ||
1.一种过零检测电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括电流偏置电路模块和三级共射级放大电路模块,所述的电流偏置电路模块和三级共射级放大电路模块均连接电源(VCC),该过零检测电路结构的过零检测输入端和过零检测输出端均连接所述的三级共射级放大电路模块。
2.根据权利要求1所述的过零检测电路结构,其特征在于,所述的电流偏置电路模块包括第一NPN三极管(N1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)和第一PNP三极管(P1);所述的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)串联于所述的电源(VCC)和地之间,第一电阻(R1)和第二电阻(R2)间的连接点与所述的第一NPN三极管(N1)的基极相连,所述的第三电阻(R3)的一端连接所述的第一NPN三极管(N1)的发射极,该第三电阻(R3)另一端接地,所述的第一PNP三极管(P1)的集电极与基极短接,并连接所述的第一NPN三极管(N1)的集电极;所述的第一PNP三极管(P1)的发射极连接电源(VCC),该第一PNP三极管(P1)的基极还连接所述的三级共射级放大电路模块。
3.根据权利要求2所述的过零检测电路结构,其特征在于,所述的三级共射级放大电路模块包括第二NPN三极管(N2)、第三NPN三极管(N3)、第四NPN三极管(N4)、第四电阻(R4)、第二PNP三极管(P2)和第三PNP三极管(P3);所述的第二PNP三极管(P2)和第三PNP三极管(P3)的发射极均连接所述的电源(VCC),第二PNP三极管(P2)和第三PNP三极管(P3)的基极均连接所述的第一PNP三极管(P1)的基极;所述的第四电阻(R4)的一端也连接所述的连接电源(VCC),其另一端连接所述的第二NPN三极管(N2)的集电极,所述的第二NPN三极管(N2)的集电极还连接所述的过零检测输出端;所述的第二NPN三极管(N2)的基极、所述的第三NPN三极管(N3)集电极以及所述的第二PNP三极管(P2)的集电极相互连接;所述的第四NPN三极管(N4)的集电极、所述的第三PNP三极管(P3)的集电极以及所述的第三NPN三极管(N3)的基极相互连接;所述的第二NPN三极管(N2)、第三NPN三极管(N3)和第四NPN三极管(N4)的发射极均接地;所述的第四NPN三极管(N4)的基极连接所述的过零检测输入端。
4.根据权利要求3所述的过零检测电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括保护电路模块,所述的保护电路模块连接于所述的三级共射级放大电路模块与所述的过零检测输入端之间。
5.根据权利要求4所述的过零检测电路结构,其特征在于,所述的保护电路模块包括第五NPN三极管(N5)、二极管(D1)和第五电阻(R5);所述的第五NPN三极管(N5)的集电极与所述的二极管(D1)的阳极相连接,并连接所述的过零检测输入端;该第五NPN三极管(N5)的基极、所述的二极管(D1)的阴极、所述的第四NPN三极管(N4)的基极以及所述的第五电阻(R5)的一端相互连接;该第五电阻(R5)的另一端及所述的第五NPN三极管(N5)的发射极均接地。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的过零检测电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括限流电阻(R6)和整流二极管(D2),所述的过零检测输入端通过所述的限流电阻(R6)连接所述的整流二极管(D2)的阴极,所述的整流二极管(D2)的阳极连接外部电网电压。
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