[实用新型]一种延长掉电保护时间的控制电路有效
申请号: | 201220510038.X | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN202889195U | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 黄善兵;翟建光;甘彦君 | 申请(专利权)人: | 深圳市新国都技术股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 李新林 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 延长 掉电 保护 时间 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种延长掉电保护时间的控制电路。
背景技术
在电子产品设计中,通常都是优先考虑电源电路的设计,电源电路的设计不仅要满足电路中各个模块对电压、电流的要求,而且还需要考虑在电源出现过压或者欠压时,如何满足电源电路能够继续正常工作的要求。比如出现掉电现象时,会使电路系统得不到正常工作的电压,从而导致电路系统不正常工作甚至关机重启;系统电源因受到干扰而导致的不正常关机重启,这些都是在设计中要避免的。
在现有技术中,通常是在电路中使用大容量电容或者增加大容量电容的数量,利用大容量电容充放电的原理,当电容电量充满时,如果电源电压降低,电容将会进行放电以稳定电源电压。虽然增加大容量电容能提供一定的掉电保护时间,但是在一些对电源抗干扰要求比较高的设备中,其还无法为设备提供更长的掉电保护时间,而且无论是使用大容量电容还是增加大容量电容的数量,由于大容量电容成本高,都会增加成本,同时大容量电容的面积比较大,不利于电子产品的小型化。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于:提供一种延长掉电保护时间的控制电路,不仅延长了电路掉电保护时间,而且降低了成本。
为解决上述技术问题,本实用新型提出了一种延长掉电保护时间的控制电路,包括DC/DC电路,该DC/DC电路的信号输出端通过第一电容连接至第一二极管的阳极、第一二极管的阴极通过第二电容接地,第一电容与第一二极管的连接点还连接至第二二极管的阴极,第二二极管的阳极连接至DC/DC电路的电源输入端,第一二极管的阴极与第二电容的连接点还连接至MOS管的源极,连接点还通过第一电阻和MOS管的栅极连接,MOS管的漏极与第三二极管的阳极连接,第三二极管的阴极连接至DC/DC电路电源输出端,MOS管的栅极通过第二电阻串联在三极管的集电极,三极管的发射极接地,三极管的基极通过第三电阻连接CPU控制模块的控制信号输出端。
进一步地,所述第二电容并联有第三电容和第四电容。
进一步地,所述第二二极管的阳极通过第四电阻连接至DC/DC电路的电源输入端。
上述技术方案至少具有如下有益效果:本实用新型采用电容自举的原理,利用第一电容给第二电容不断的充电,同时采用电源电压检测电路把电源电压信号传输给CPU控制模块,CPU控制模块控制三极管的导通,进而控制MOS管的导通,最终使第二电容持续的为DC/DC电路电源输出端供电。不仅延长了电路掉电保护时间,而且降低了成本,有利于电子产品的小型化生产。
附图说明
图1为电容自举电路的电路原理图。
图2为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图对本实用新型做进一步描述。
本实用新型采用电容自举的原理,利用自举升压二极管、自举升压电容等电子元件,由于电容的特性是两端电压差不能突变,但是电容两端的电压可以突变,利用这个原理,可以使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高,具体地,如图1所示,当输入Uin=0V时,电容C0将会进行充电,电容C0充满时,电容C0上端的电压为12V,下端电压为0V;当输入Uin为幅度为3V的方波时,由于电容C0两端电压差不能突变,而两端电压可以突变,电容C0下端电压为3V时,因为要保持电压差,所以电容C0上端的电压将变为15V,由于二极管D0的单向导通性,所以电容C0放电的方向是向负载供电,电容C0不断的充放电,当Uin的频率足够高时,负载的电压就是15V。
如图2所示,本实用新型公开一种延长掉电保护时间的控制电路,包括DC/DC电路,该DC/DC电路的信号输出端SW通过第一电容C1连接至第一二极管D1的阳极、第一二极管D1的阴极通过第二电容C2接地,第一电容C1与第一二极管D1的连接点还连接至第二二极管D2的阴极,第二二极管D2的阳极连接至DC/DC电路的电源输入端VCCIN,第一二极管D1的阴极与第二电容C2的连接点C还连接至MOS管M1的源极,所述连接点C还通过第一电阻R1和MOS管M1的栅极连接,MOS管M1的漏极与第三二极管D3的阳极连接,第三二极管D3的阴极连接至DC/DC电路电源输出端VCCOUT,MOS管M1的栅极通过第二电阻R2串联在三极管Q1的集电极,三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的基极通过第三电阻R3连接CPU控制模块的控制信号输出端N-P-INT。
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