[实用新型]开关驱动器装置及系统

权利要求书

1.一种开关驱动器系统，包括：

双极型结型晶体管开关，包括基极、发射极以及集电极；

能量存储电路，连接到所述双极型结型晶体管开关的所述集电极，所述能量存储电路向所述双极型结型晶体管开关的所述集电极供应电流；

电流感测电路，连接到所述发射极，所述电流感测电路配置成感测流过所述双极型结型晶体管开关的所述发射极的电流；以及

比例偏置电路，配置成生成到所述双极型结型晶体管开关的所述基极的偏置电流，所述偏置电流被设置成与所感测到的流过所述双极型结型晶体管开关的所述发射极的电流成固定比例。

2.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，进一步包括：金属氧化物半导体场效应晶体管开关，串联连接在所述双极型结型晶体管开关的所述发射极与所述电流感测电路之间，所述开关配置成对流过所述开关的所述发射极的电流进行开关。

3.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中，所述电流感测电路包括电流感测电阻器，所述比例偏置电路通过电源电压电阻器连接到电源电压，所述固定比例是基于所述电流感测电阻器的阻值与所述电源电压电阻器的阻值之间的比率的。

4.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中，所述系统向与开关式电源相关联的开关提供偏置。

5.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中所述能量存储电路是电感器或变压器的绕组。

6.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中，所述开关可在超过700伏的电压下操作。

7.根据权利要求2所述的开关驱动器系统，其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管开关对流过所述双极型结型晶体管开关的所述发射极的电流所进行的开关由电源控制器电路所提供的脉冲宽度调制信号来控制。

8.一种开关驱动器装置，包括：

双极型结型晶体管开关，包括基极、发射极以及集电极；

电流感测电路，与所述发射极连接，所述电流感测电路配置成感测流过所述开关的所述发射极的电流；以及

比例偏置电路，配置成生成到所述开关的所述基极的偏置电流，所述偏置电流被设置为与所感测到的流过所述开关的所述发射极的电流成固定比例。

9.根据权利要求8所述的开关驱动器装置，进一步包括：金属氧化物半导体场效应晶体管开关，串联连接在所述开关的所述发射极与所述电流感测电路之间，所述开关配置成开关流过所述开关的所述发射极的电流。

10.根据权利要求8所述的开关驱动器装置，其中，所述电流感测电路包括电流感测电阻器，所述比例偏置电路通过电源电压电阻器连接到电源电压，所述固定比例是基于所述电流感测电阻器的阻值与所述电源电压电阻器的阻值之间的比率的。

11.根据权利要求8所述的开关驱动器装置，其中，所述开关驱动器装置向与开关式电源相关联的开关提供偏置。

12.根据权利要求8所述的开关驱动器装置，其中，所述双极型结型晶体管开关可在超过700伏的电压下操作。

13.根据权利要求8所述的开关驱动器装置，其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管开关对流过所述双极型结型晶体管开关的所述发射极的电流所进行的开关由电源控制器电路所提供的脉冲宽度调制信号来控制。