[实用新型]研磨垫及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨垫及研磨装置。

背景技术

在半导体的生产工艺中，经常需要进行化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing，CMP)工艺，化学机械研磨也称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)。化学机械研磨工艺是一个复杂的工艺过程，它是将晶圆表面与研磨垫的研磨表面接触，然后，通过晶圆表面与研磨表面之间的相对运动将晶圆表面平坦化，通常采用化学机械研磨设备，也称为研磨机台或抛光机台来进行化学机械研磨工艺。所述研磨装置包括一研磨头，进行研磨工艺时，将要研磨的晶圆附着在研磨头上，该晶圆的待研磨面向下并接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将该晶圆紧压到研磨垫上，所述研磨垫是粘贴于研磨平台上，当该研磨平台在马达的带动下旋转时，研磨头也进行相应运动；同时，研磨液通过研磨液供应单元输送到研磨垫上，并通过离心力均匀地分布在研磨垫上。

请参阅图1，现有的研磨垫10的研磨表面上均匀分布着若干圆形沟槽11，这些圆形沟槽11具有相同的圆心，其以研磨垫10的中心为圆心。通过在研磨垫10的研磨表面上设置同心的圆形沟槽11，一方面可以使研磨液在研磨垫10的研磨表面上的分布更加均匀，从而使得研磨后的晶圆上的薄膜的厚度更加均匀，另一方面，可以在一定程度上起到保留研磨液的作用，提高研磨液利用率。

当研磨装置研磨一定量的晶圆后，会有一些研磨液副产物（主要是研磨颗粒和研磨下来的薄膜的残留物）留在研磨垫10上及圆形沟槽11内。由于研磨垫10不停地随着研磨平台做高速旋转运动，研磨垫10上的研磨液副产物在离心力作用下，会逐渐集中到研磨垫10的外部区域（即靠近研磨垫10边缘的区域，主要是指外围的几个圆形沟槽）中，难以去除。这些残留下来的研磨液副产物，不但会影响研磨液在研磨垫10的分布，从而影响研磨的均匀性，而且容易造成晶圆表面因此产生划伤、腐蚀、凹坑等缺陷，导致产品良率降低。

因此，如何提供一种便于去除研磨液副产物的研磨垫及研磨装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨垫及研磨装置，可以提高研磨垫上的研磨液副产物的去除效率及研磨液的更新，确保晶圆研磨质量。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型公开了一种研磨垫，所述研磨垫的工作表面设有一中心圆形沟槽和若干围绕所述中心圆形沟槽设置周边圆形沟槽，所述中心圆形沟槽的圆心和所述研磨垫的圆心重合，所述研磨垫的工作表面还间隔设有若干由内向外发散的导流槽。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽围绕所述研磨垫的圆心均匀分布。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽是直线槽。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽是曲线槽，所述曲线槽的弯曲方向和研磨垫的旋转方向相对应。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽呈抛物线型。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽包括第一槽和第二槽，所述第一槽和所述第二槽围绕所述研磨垫的圆心间隔均匀分布，所述第一槽的内侧端分别连接至所述研磨垫的中心区域的圆形沟槽，所述第一槽的外侧端离所述研磨垫的边缘的距离是所述研磨垫的半径长度的1/8-1/5倍，所述第二槽的外侧端连接至所述研磨垫的边缘，所述第二槽的内侧端和所述研磨垫的中心区域的边缘的距离是所述研磨垫的半径长度的1/4-2/5倍。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽是直线槽。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽是曲线槽，所述曲线槽的弯曲方向和研磨垫的旋转方向相对应。

优选的，在上述的研磨垫中，所述导流槽呈抛物线型。

本实用新型还公开了一种研磨装置，包括研磨头、研磨垫整理器、研磨平台与研磨垫，所述研磨垫铺设于所述研磨平台上，所述研磨头与所述研磨垫整理器分别设置于所述研磨垫上，所述研磨垫采用如上所述的研磨垫。