[实用新型]半导体发光元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体发光元件，特别是一种III-V族化合物半导体发光元件。

背景技术

自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED外延结构研制成功，LED芯片的发光强度和白光发光效率不断提高。半导体发光元件被认为是下一代进入通用照明领域的新型光源，因此得到广泛关注。

请参阅图1，图1为现有技术半导体发光元件的结构示意图。所述半导体发光元件1为一发光二极管(LED)；所述半导体发光元件1包括衬底11，依次层叠于所述衬底11上的n型半导体层12、发光层13、p型半导体层14、透明导电层15，以及第一电极焊盘16和第二电极焊盘17。所述第一电极焊盘16设置于所述P型半导体层14上，所述第二电极焊盘17设置于所述N型半导体层12未被所述发光层13和所述P型半导体层14覆盖的区域。

在所述第一电极焊盘16和所述第二电极焊盘17之间加电压；电流从所述第一电极焊盘16流入所述第二半导体层14，并经所述第二半导体层14扩展后流入整个发光层13，流经所发光层13后的电流到达所述第一半导体层12，并经过所述第一半导体层12汇聚到所述第二电极焊盘17。

当电流流过所述发光层13时，电流留过的发光层13区域将会发光；发出的光线穿过所述第二半导体层14和所述透明导电层15出射。

然而，所述第一电极焊盘16的材料通常为铜或银等不透明金属。所述第一电极焊盘16下方的发光层13区域发出光线将受到所述第一电极焊盘16的阻挡，不能出射，从而降低了所述半导体发光元件1的发光效率。

实用新型内容

现有技术半导体发光元件存在发光效率低的问题，本实用新型提供一种能解决上述问题的半导体发光元件。

一种半导体发光元件，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘，所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次层叠设置，所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层电连接，所述出光层发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射，所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中，并位于所述第一电极焊盘的下方；所述电流阻挡层使得电流至少更多流向未被所述电流阻挡层遮蔽的发光层区域。

与现有技术相比较，本实用新型的半导体发光元件中，在所述第一电极焊盘下对应的第二半导体层中嵌入有电流阻挡层，所述电流阻挡层减少电流流经所述第一电极焊盘下方发光层区域电流量，使得更多的电流流经所述第一电极焊盘未遮蔽的发光层区域，从而减少了所述第一电极焊盘遮挡造成效率损失，提高所述半导体发光元件发光效率；同时，所述电流阻挡层嵌入到所述第二半导体层中，可以使得所述电流阻挡层更靠近所述发光层；从而可以减少电流在所述电流阻挡层下方的第二半导体层中扩散到被所述第一电极焊盘遮蔽的发光层区域，可以进一步提高所述半导体发光元件的发光效率。

附图说明

图1是现有技术半导体发光元件的结构示意图。

图2是本实用新型半导体发光元件第一实施方式的剖面结构示意图。

图3是本实用新型半导体发光元件第二实施方式的剖面结构示意图。

图4是本实用新型半导体发光元件第三实施方式的剖面结构示意图。

图5是本实用新型中第一实施方式的半导体发光元件的制造方法流程图。

图6是本实用新型中第三实施方式的半导体发光元件的制造方法流程图。

具体实施方式