[实用新型]电压极性转换电路

权利要求书

1.一种电压极性转换电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管，其中：

所述第一NMOS管的栅极（G1）与所述第二NMOS管的漏端（D2）和所述第二PMOS管的漏端（D4）相连接，所述第一NMOS管的源端（S1）与所述第二NMOS管的源端（S2）相连接；

所述第二NMOS管的栅极（G2）与所述第一NMOS管的漏端（D1）和所述第一PMOS管的漏端（D3）相连接；

所述第一PMOS管的栅极（G3）与所述第二NMOS管的漏端（D2）和所述第二PMOS管的漏端（D4）相连接，所述第一PMOS管的源端（S3）与所述第二PMOS管的源端（S4）相连接；

所述第二PMOS管的栅极（G4）与所述第一NMOS管的漏端（D1）和所述第一PMOS管的漏端（D3）相连接；

在所述第一NMOS管的漏端（D1）和所述第一PMOS管的漏端（D3）之间设置有第一节点，在所述第二NMOS管的漏端（D2）和所述第二PMOS管的漏端（D4）之间设置有第二节点，所述第一节点为电压极性转换电路的第一输入端，所述第二节点为所述电路的第二输入端；以及

在所述第一NMOS管的源端（S1）与所述第二NMOS管的源端（S2）之间设置有第三节点，在所述第一PMOS管的源端（S3）与所述第二PMOS管的源端（S4）之间设置有第四节点，所述第三节点为所述电路的负向输出端，所述第四节点为所述电路的正向输出端。

2.根据权利要求1所述的电压极性转换电路，其特征在于，

所述第一NMOS管的寄生二极管的正极与所述第一NMOS管的源端（S1）相连接，所述第一NMOS管的寄生二极管的负极与所述第一NMOS管的漏端（D1）相连接；

所述第二NMOS管的寄生二极管的正极与所述第二NMOS管的源端（S2）相连接，所述第二NMOS管的寄生二极管的负极与所述第二NMOS管的漏端（D2）相连接；

所述第一PMOS管的寄生二极管的正极与所述第一PMOS管的漏端（D3）相连接，所述第一PMOS管的寄生二极管的负极与所述第一PMOS管的源端（S3）相连接；以及

所述第二PMOS管的寄生二极管的正极与所述第二PMOS管的漏端（D4）相连接，所述第二PMOS管的寄生二极管的负极与所述第二PMOS管的源端（S4）相连接。

3.根据权利要求1所述的电压极性转换电路，其特征在于，所述电路采用SMT封装。

4.根据权利要求1所述的电压极性转换电路，其特征在于，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的W/L相同，并且，所述第一PMOS管的单元数量为所述第一NMOS管的单元数量的2倍或3倍，所述第二PMOS管的单元数量为所述第二NMOS管的单元数量的2倍或3倍。