[实用新型]用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器有效

专利信息
申请号: 201220524269.6 申请日: 2012-10-15
公开(公告)号: CN202916554U 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 晋兴强;章小兵;刘亚萍 申请(专利权)人: 中航华东光电有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G05D23/24
代理公司: 安徽汇朴律师事务所 34116 代理人: 胡敏
地址: 241000 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 用于 不规则 液晶显示器 均匀 加热 加热器
【权利要求书】:

1.用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其包括加热器本体(50),加热器本体(50)为具有依次首尾相接的第一边(51)、第二边(52)、第三边(53)、第四边(54)以及第五边(55)的五边形结构,其特征在于,所述加热器还包括:

第一导电条(1)、第二导电条(2)、第三导电条(3),其分别固定在第一边(51)、第三边(53)以及第四边(54)上,且第四边(54)上的第三导电条(3)设置在靠近第五边(55)的一端;

从第一导电条(1)、第二导电条(2)、第三导电条(3)分别引出的第一电极(A)、第二电极(C)、第三电极(B);以及

均与第一电极(A)、第二电极(C)、第三电极(B)电性连接的驱动电路。

2.如权利要求1所述的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其特征在于,所述驱动电路包括:

控制单元(61),包括第三电极控制端(Ab)、第二电极控制端(Cc)、接地控制端(D)以及若干A/D接口;

加热电源;

硬件保护MOS管T3,硬件保护MOS管T3的源极连接于加热电源;

P沟道MOS管T1,P沟道MOS管T1的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T1的漏极连接于第三电极(B),P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至P沟道MOS管T1的源极;

第一光电耦合器(63),第一光电耦合器(63)的二极管的阴极连接至第三电极控制端(Ab),第一光电耦合器(63)的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于上拉电源,第一光电耦合器(63)的三极管的发射极接地,第一光电耦合器(63)的三极管的集电极经由电阻R3连接至P沟道MOS管T1的栅极;

N沟道MOS管T2,N沟道MOS管T2的漏极连接于第一电极(A),N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极(B);

第二光电耦合器(64),第二光电耦合器(64)的二极管的阴极连接至第三电极控制端(Ab),第二光电耦合器(64)的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于上拉电源,第二光电耦合器(64)的三极管的发射极接地,第二光电耦合器(64)的三极管的集电极经由电阻R5连接至P沟道MOS管T1的源极,第二光电耦合器(64)的三极管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极,第二光电耦合器(64)的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6;

P沟道MOS管T5,P沟道MOS管T5的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极(C),P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至P沟道MOS管T5的源极;

第三光电耦合器(65),第三光电耦合器(65)的二极管的阴极连接至第二电极控制端(Cc),第三光电耦合器(65)的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于上拉电源,第三光电耦合器(65)的三极管的发射极接地,述第三光电耦合器(65)的三极管的集电极经由电阻R9连接至P沟道MOS管T5的栅极;

N沟道MOS管T6,N沟道MOS管T6的漏极连接于第二电极(C),N沟道MOS管T6的源极连接于第一电极(A);

第四光电耦合器(66),第四光电耦合器(66)的二极管的阴极连接至第二电极控制端(Cc),第四光电耦合器(66)的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于上拉电源,第四光电耦合器(66)的三极管的发射极接地,第四光电耦合器(66)的三极管的集电极经由电阻R11连接至P沟道MOS管T5的源极,第四光电耦合器(66)的三极管的集电极还连接至N沟道MOS管T6的栅极,第四光电耦合器(66)的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12;

接地总开关MOS管T4,所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于N沟道MOS管T6的源极,接地总开关MOS管T4的源极接地;

第五光电耦合器(67),第五光电耦合器(67)的输入端连接于接地控制端(D),第五光电耦合器(67)的输出端连接于接地总开关MOS管T4的栅极;

若干温度传感器(68),所述若干温度传感器(68)分别连接于所述若干A/D接口;

逻辑电路(69),逻辑电路(69)的输入端连接于控制单元(61),逻辑电路(69)的输出端连接于硬件保护MOS管T3的栅极。

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