[实用新型]基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构有效

专利信息
申请号: 201220527041.2 申请日: 2012-10-16
公开(公告)号: CN202871773U 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 李晓鹏;杨浩然;周锎;张冶 申请(专利权)人: 天津光电润达电子有限公司
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L23/433
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 胡京生
地址: 300211*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 基于 逆变器 箱体 散热器 协同 散热 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构,以改进逆变器的散热功能。

背景技术

绝缘栅双极性晶体管[IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)]是由BJT(双极性三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的符合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大:MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

目前,大部分的逆变器都采用散热器直接散热,基本上是IGBT绝缘栅双极性晶体管产生的热量通过散热器进行散热,但是有时候散热功能不佳或不能及时的将热量排到箱体外部,导致整个系统的性能达不到最佳,IGBT绝缘栅双极性晶体管也因为温度过高产生自我保护,致使功率不能始终维持在额定功率,减少了资源的利用率。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足,本实用新型为了弥补散热器散热不均和散热不足的问题,提供一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构。

本实用新型为实现上述目的,所采用的技术方案是 :一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构,包括逆变器箱体、散热器、IGBT绝缘栅双极性晶体管,其特征在于:还包括导热材料,所述散热器固定在逆变器箱体内,在散热器与逆变器箱体之间填充有导热材料;数个所述IGBT绝缘栅双极性晶体管分别固定在散热器上,在数个IGBT绝缘栅双极性晶体管与散热器之间填充有导热材料。

本实用新型的特点是:IGBT绝缘栅双极性晶体管与散热器通过螺钉连接,逆变器箱体与散热器通过螺栓进行连接, IGBT绝缘栅双极性晶体管与散热器、散热器与逆变器箱体之间的连接处均填充导热材料,使得散热器与逆变器箱体同时成为传导散热的载体,IGBT绝缘栅双极性晶体管的热量可以通过散热器和箱体同时将热量传导到外界,弥补了散热器散热不均和散热不足的问题,使逆变器始终处于良好散热状态,提高资源利用率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

以下结构附图对本实用新型详述,权利保护的范围不限于本实用新型的实施例。

如图1所示,一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构,包括逆变器箱体1、散热器2、IGBT绝缘栅双极性晶体管3,还包括导热材料4,散热器2通过螺拴螺母固定在逆变器箱体1内,在散热器2与逆变器箱体1之间填充有导热材料4,IGBT绝缘栅双极性晶体管3所产生的热量可以有效的传导到散热器2上;数个IGBT绝缘栅双极性晶体管3分别通过螺钉固定在散热器上,在数个IGBT绝缘栅双极性晶体管3与散热器2之间填充有导热材料4。

这样IGBT绝缘栅双极性晶体管3、散热器2、逆变器箱体1通过导热材料4就形成了一整套散热系统,可以将IGBT绝缘栅双极性晶体管3散发的热量通过逆变器箱1传导到外界,对IGBT绝缘栅双极性晶体管3进行散热。

上述的散热器2的形状不局限于图1所示的散热器,散热器2的材料可为有效散热的金属材料。上述的逆变器箱体1形状不局限于图1所示的箱体结构,上的逆变器箱体1可以是钣金箱体或者其他方式成型的金属箱体。上述的导热材料4是可以将散热器的热量良好传导到箱体的导热介质。

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