[实用新型]高灵敏温控薄膜混合集成电路有效
申请号: | 201220532710.5 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN202888181U | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 杨成刚;苏贵东;连云刚 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;G05D23/24 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灵敏 温控 薄膜 混合 集成电路 | ||
1. 一种高灵敏温控薄膜混合集成电路,该电路由器件管壳基座(1)、氮化铝陶瓷基片衬底表面(4)和衬底背面(2)、半导体热电致冷单元(3)、管脚(5)、薄膜导带/键合区(6)、薄膜电阻(7)、半导体芯片(8)、传感信号处理芯片(10)、热电致冷引脚(11)组成,其中薄膜导带/键合区(6)、薄膜电阻(7)和传感信号处理芯片(10)都附着在氮化铝陶瓷基片衬底表面(4)上;氮化铝陶瓷基片衬底表面(4)和衬底背面(2)分别在半导体热电致冷单元(3)的上方与下方,并固定在管壳基座(1)上;管壳基座(1)两端各有一支管脚(5);其特征在于薄膜热敏电阻(9)附着在氮化铝陶瓷基片衬底表面(4),其上附着有薄膜绝缘介质膜(12),再上附着半导体芯片(8)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的