[实用新型]一种带抗饱和网络的高反压晶体管

权利要求书

1.一种带抗饱和网络的高反压晶体管，其晶片上以NPN晶体管（VT1）为主晶体管，其特征在于：所述晶片上还集成有由PNP晶体管（VT2）和二极管（VD）构成的有源抗饱和电路，其中，PNP晶体管（VT2）的发射极与NPN晶体管（VT1）的基极连接，PNP晶体管（VT2）的集电极与NPN晶体管（VT1）的发射极连接，PNP晶体管（VT2）的基极与NPN晶体管（VT1）的集电极连接。

2.根据权利要求1所述的高反压晶体管，其特征在于：PNP晶体管（VT2）的发射极与NPN晶体管（VT1）的基极连接作为高反压晶体管的基极（b），PNP晶体管（VT2）的集电极与NPN晶体管（VT1）的发射极及二极管（VD）的阳极连接作为高反压晶体管的发射极（e），PNP晶体管（VT2）的基极与NPN晶体管（VT1）的集电极及二极管（VD）的阴极连接作为高反压晶体管的集电极（c）。