[实用新型]用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备有效
申请号: | 201220540586.7 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN202898527U | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 陈五奎;雷晓全;任红耀;王斌 | 申请(专利权)人: | 陕西拓日新能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 孟海娟 |
地址: | 715200 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 非晶硅 背面 沉积 磁控溅射 设备 | ||
1.用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备,镀层工作运行轨道(1)贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室,镀层工作运行轨道(1)由一根以上平行的旋转拖轴组成,镀膜工作室对应的镀层工作运行轨道(1)上有铝靶(2),镀膜工作室外部有换气管道(6),换气管道(6)连接氩气管(7),镀膜工作室上方有高压电极(3),还包含可将正离子驱动向铝靶(2)的磁场发生装置。
2.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,所述位于其两端的抽真空传动装备分别连接上料支架(4)。
3.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,所述铝靶(2)为矩形,其平行于镀层工作运行轨道(1)的平面。
4.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,所述镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备均连接独立的抽真空装置。
5.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,所述铝靶(2)邻接有冷却水管。
6.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备,其特征在于,所述抽真空传动装备有一组以上。
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