[实用新型]具有对位标记的半导体器件以及显示装置有效
申请号: | 201220547425.0 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN203205414U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 杨俊平;张大鹏 | 申请(专利权)人: | 天钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 徐丽昕 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 对位 标记 半导体器件 以及 显示装置 | ||
1.一种半导体器件,其包括:
半导体衬底;及
对位标记,该对位标记设置在该半导体衬底上,其特征在于:该对位标记包括:
第一层状结构,该第一层状结构设置在该半导体衬底上,该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案;及
第二层状结构,该第二层状结构设置在该第一层状结构上,该第二层状结构包括一第二图案;
其中,该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案,该多个第一图案围绕该第二图案设置。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:该半导体器件上设有预设区,每一预设区中对应设置该对位标记,定义该对位标记对应该第二图案所在的区域为第一区域,该预设区内除该第一区域的外的区域则为第二区域,该第一区域的亮度小于该第二区域的亮度,以增加该对位标记的第一区域与第二区域之间的亮度差异。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案,且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于:对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案在该第一层状结构中均匀分布。
5.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于:该对位标记进一步包括第三层状结构,该第三层状结构沿该半导体衬底厚度方向,设置在该第一层状结构与该第二层状结构之间,该第三层状结构包括间隔设置的多个第三图案,该多个第三图案为非透明图案,且该多个第三图案位于该第二区域内并围绕该第二图案设置,该多个第三图案与该多个第一图案相互配合,以增加该对位标记的第一区域与第二区域的亮度差异。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于:每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。
7.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于:该多个第一图案与该多个第三图案错开设置。
8.如权利要求6所述的半导体器件,其特征在于:该第三层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第三图案,且对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案彼此间隔分布。
9.如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于:该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案,且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。
10.如权利要求9所述的半导体器件,其特征在于:对应该第二图案设置的每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。
11.如权利要求10所述的半导体器件,其特征在于:对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案在该第三层状结构中均匀分布。
12.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于:该第三层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第三图案,且对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案彼此间隔分布。
13.如权利要求12所述的半导体器件,其特征在于:该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案,且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。
14.如权利要求13所述的半导体器件,其特征在于:对应该第二图案设置的每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。
15.如权利要求14所述的半导体器件,其特征在于:对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案在该第三层状结构中均匀分布。
16.一种显示装置,该显示装置包括:
透明基板;及
半导体器件,该半导体器件压合在该透明基板上,其特征在于:该半导体器件为上述权利要求1-15中任意一项所述的半导体器件。
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