[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管，设置有该薄膜晶体管的阵列基板和显示装置。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上能超过CRT(Cathode RayTube，阴极射线管)的显示器件，已成为显示领域的主流产品。TFT液晶屏是在每个像素点上设计一个TFT，通过该TFT来对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高反应时间。

铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)是新一代用于TFT有源层的材料，其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率。

使用a-Si作为有源层时，直接在有源层之上制备金属电极层，再通过刻蚀(一般指湿法刻蚀)形成需要的源、漏电极形状；而使用IGZO作为有源层时，因IGZO不像a-Si那样耐腐蚀，在进行源、漏电极刻蚀的过程中容易造成IGZO层的损伤，所以需要先在IGZO有源层上制备刻蚀阻挡层以保护IGZO层，再制备源漏金属电极层。具体的，如图1所示，其中刻蚀阻挡层13上设置有两个相对的圆形过孔131，TFT的源电极11和漏电极12分别通过这两个圆形过孔与IGZO有源层接触导通，两个圆形过孔131间的距离决定TFT的沟道长，圆形过孔131的直径决定TFT的沟道宽。

发明人发现：在图1所示的TFT结构中，TFT的栅极和漏极之间的寄生电容Cgd大，当用于液晶显示装置时，导致实际驱动中像素电压浮动大，影响显示效果。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，可在不影响开口率的情况下，增大TFT的沟道宽度并且大幅度降低栅漏之间的寄生电容，从而降低像素电压的浮动，提升显示效果。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案。

一种薄膜晶体管，包括：有源层；刻蚀阻挡层，覆盖于所述有源层之上；源电极和漏电极，位于所述刻蚀阻挡层之上；

所述刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔，所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合；

所述源电极通过所述U形过孔与下层的所述有源层连接，所述漏电极通过所述圆形过孔与下层的所述有源层连接。

优选的，所述有源层为铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜层。

优选的，所述U形过孔的圆心角小于等于180度。

优选的，所述U形过孔的圆心角为180度。

优选的，所述刻蚀阻挡层为硅氧化物薄膜层，或者硅氮化物薄膜层，或者硅氧化物和硅氮化物形成的复合层。

一种阵列基板，设置有所述的薄膜晶体管。

优选的，所述有源层为铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜层。

优选的，所述U形过孔的圆心角小于等于180度。

一种显示装置，设置有所述的阵列基板。

本实用新型提供的薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，适用于TFT的有源层上需设置刻蚀阻挡层(例如，有源层采用IGZO的TFT)的场景，刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在圆形孔外围的U形过孔，U形过孔的曲率圆心和圆形过孔的圆心相重合，源电极通过U形过孔与下层的有源层连接，漏电极通过圆形过孔与下层的有源层连接，U形过孔的曲率半径决定TFT的沟道长，U形过孔的长度(弧长)决定TFT的沟道宽，较现有技术中两个并排的过孔而言，相同沟道宽度的情况下，漏电极面积小，栅漏之间的寄生电容小，有利于在有限的占用面积下获得最大可能的沟道宽度，用于显示装置时，可在不影响像素开口率的情况下增大沟道宽度并且降低栅漏之间的寄生电容，从而达到降低像素电压浮动，提升显示效果的目的。

附图说明

图1为现有技术中薄膜晶体管的俯视示意图；

图2为本实用新型实施例中薄膜晶体管的俯视示意图一；

图3为图2中薄膜晶体管沿A-A方向的剖面结构示意图；

图4为本实用新型实施例中刻蚀阻挡层的俯视示意图；

图5为本实用新型实施例中源漏电极的俯视示意图；

图6为另一现有薄膜晶体管的俯视示意图；

图7为本实用新型实施例中薄膜晶体管的俯视示意图二。

附图标记说明

10-基板，11-源电极，12-漏电极，13-刻蚀阻挡层，131-圆形过孔，

132-U形过孔，133-椭圆形过孔，14-有源层，15-栅绝缘层，

16-栅极。