[实用新型]闪存及包含该闪存的存储设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及存储领域，特别是涉及一种闪存及包含该闪存的存储设备。 

背景技术

随着技术的发展，FLASH的制程工艺越来越先进，从60nm到20nm，甚至更小工艺，FLASH的制程工艺越小，容量提升较大、成本相对降低，但寿命也相对缩短，且随着FLASH制程的变小，闪存容量变大，闪存内每页（Page）的容量也变大。在对闪存读写操作时，由于闪存页容量变大，对其读写干扰出错问题也越来越严重，从而要求与闪存配套的上位机的处理器ECC（Error Correcting Code，错误检查和纠正）矫正所须的检验位越来越多，从而使FLASH对与之配套的上位机的处理器的ECC矫正能力要求越来越高，即FLASH的制程工艺越先进，对与之配套的上位机的处理器的ECC处理能力要求越高。 

为适应FLASH的制程工艺的变化，上位机的处理器须要根据Flash制程的推进作同步推进，提高其ECC的矫正能力。然而，上位机的处理器制造商或者上位机的控制器制造商往往与FLASH制造商并非一家，处理器制造商对处理器ECC的推进速度比FLASH制造商对FLASH制程工艺的推进速度慢，并且，若处理器制造商根据Flash制程的推进，同步升级处理器的ECC模块以及相应的固件、以及进行兼容测试等，这将浪费处理器制造商的大量时间和成本。当传统的上位机的处理器制造商未对其ECC模块进行升级时，上位机内的处理器存在与新制程闪存中的FLASH兼容性问题。 

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的上位机的处理器中ECC模块不升级导致与新制程闪存中的FLASH不兼容的问题，提供一种具有较好兼容性的闪存。 

此外，还有必要提供一种具有较好兼容性的存储设备。 

一种闪存，包括闪存单元和闪存的对外接口，其特征在于，还包括与所述 闪存单元电连接且包含对闪存单元进行纠错的控制器，所述控制器与所述闪存的对外接口电相连。 

在其中一个实施例中，所述闪存单元与所述控制器之间通过闪存接口电相连，所述闪存的对外接口为闪存接口。 

在其中一个实施例中，所述闪存单元为NAND闪存单元，所述NAND闪存单元与所述控制器之间通过NAND闪存接口电相连，所述闪存的对外接口为NAND闪存接口。 

在其中一个实施例中，所述闪存单元为非NAND闪存单元，所述非NAND闪存单元与所述控制器之间通过非NAND闪存接口电相连，所述闪存的对外接口为非NAND闪存接口。 

在其中一个实施例中，所述闪存还包括用于将非NAND闪存接口转换为NAND闪存接口的接口转换模块，所述接口转换模块与所述闪存的对外接口电连接。 

在其中一个实施例中，所述闪存还包括48个引脚。 

在其中一个实施例中，所述闪存对外接口可为QFP接口、COB接口、SOP接口和SSOP接口中任一种接口。 

一种存储设备，包括存储控制器、存储设备的对外接口和闪存，所述存储控制器与所述存储设备的对外接口电相连，所述闪存为上述的闪存，所述存储控制器通过闪存的对外接口与所述控制器电相连。 

在其中一个实施例中，所述存储设备为U盘或SD卡或TF卡。 

上述闪存及存储设备，在闪存内部设置包含ECC模块的控制器对闪存单元进行纠错管理，闪存内部的控制器将处理数据上报给上位机的处理器即可，不需升级上位机内部ECC功能，也能较好的与新制程闪存中的FLASH相兼容。 

附图说明

图1为一个实施例中闪存的结构图； 

图2为另一个实施例中闪存安装在上位机的应用示意图； 

图3为一个实施例中存储设备的结构示意图。 

具体实施方式

下面结合具体的实施例及附图对闪存及包含该闪存的存储设备的技术方案进行详细的描述，以使其更加清楚。 

如图1所示，一种闪存，包括闪存单元10、控制器20和闪存的对外接口30。其中，控制器20分别与闪存单元10和闪存的对外接口30电相连。控制器20包含ECC模块，该ECC模块用于对闪存单元10进行纠错。 

上述闪存，在闪存内部设置包含ECC模块的控制器20对闪存单元10进行纠错管理，闪存内部的控制器20将处理数据上报给上位机的处理器即可，不需升级上位机内部ECC功能，也能较好的与新制程闪存中的FLASH相兼容。