[实用新型]一种AMOLED像素结构

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种AMOLED像素结构的设计。

背景技术

在平板显示技术中，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器（LCD）之后的第三代显示技术。主动式OLED（Active Matrix OLED，AMOLED）也称为有源矩阵OLED，AMOLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管（TFT）和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，因而可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。

AMOLED的基本像素电路结构是利用图1所示的2TFT1CAP结构，构成面板，基本像素电路具体由2个晶体管T1、T2和由1个电容C1组成。在有机发光元件D1上连接驱动用薄膜晶体管T2，提供发光的电流；另外，驱动用薄膜晶体管T2的电流量由通过开关薄膜晶体管(T1)输入的DATA电压来控制，此时电容C1连接在驱动薄膜晶体管的源极和栅极之间用于在预定时间内维持所施加电压，开关薄膜晶体管T1的栅极和源极分别和扫描线和数据线连接。细看图1的动作，会发现开关薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管的栅极上输入的信号而动作的话，数据电压信号通过数据线输入在驱动用薄膜晶体管T2的栅极上。输入在栅极的数据电压通过驱动用薄膜晶体管，有机发光元件上有电流流动，使其发光，有机发光元件根据注入的电流的大小，散发光。

AMOLED中传统的像素结构如图2所示，图中示出了两个像素单元的结构。其中，SCAN、DATA和VDD分别表示扫描线、数据线和电源线；ITO为有机材料区，表示像素的发光面积，所示发光面积与像素总面积的百分比值即为像素的开口率；TFT&CAP表示图1所示的像素电路，包括TFT晶体管和电容CAP。在传统的电路中，扫描线SCAN与据线DATA交叉排列，电源线VDD与数据线DATA平行并与扫描线SCAN交叉，所述SCAN、DATA和VDD均布置于像素结构的各个子像素之间。所述的传统像素结构存在诸多问题，比如由于电源线VDD的欧姆电压降（IR drop）的影响，在面板较大时会表现出显示亮度不均匀的现象，具体表现为随着VDD线路加长，VDD上的电压降变大，导致像素电路上获得的压降变小，亮度变低。

图3示出了一种网状布线的结构，通过针对不同的子像素设置多条电源线VDD使像素亮度变得均匀，但是由于增加了多条电源线VDD，导致面板开口率减小，使制造出来的AMOLED品质下降，寿命减短。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有AMOLED像素电路存在的上述问题，提出了一种AM OLED像素电路。

本实用新型的技术方案为：一种AMOLED像素结构，包括R、G、B子像素结构，所述子像素结构包括ITO有机材料区、电路元件区、扫描线SCAN、数据线DATA和电源线VDD，所述R、G、B子像素结构分别显示不同的颜色并根据数据线信号的大小显示不同的灰度值，同一颜色的子像素属于同一类别，所述像素结构根据子像素结构的不同灰度值显示不同的颜色，所述扫描线和数据线用于输入扫描信号和数据信号，所述电源线用于提供电源；

其特征在于，

所述位于同一列相邻的三个像素结构组成面板的一个周期单元，所述周期单元组成AMOLED面板；

所述电源线VDD包含三组子电源线，所述三组子电源线分别与R、G、B子像素连接，所述周期单元中同一类别的子像素共用一组子电源线；

所述子电源线包括网状分布的横线和纵线，所述横线和纵线相互垂直分布并于交点接通形成网状。

本实用新型的有益效果：本实用新型的AMOLED像素结构将电源线VDD分成R、G、B三组并由横线和纵线呈网状交叉布置于子像素之间，同时以三个像素为一个面板单元，使本实用新型的AMOLED像素结构在解决面板亮度不均匀的问题的同时最大限度的保留了面板的开口率。

附图说明

图1为现有的AM OLED像素电路结构示意图。

图2为现有一种的AM OLED像素结构示意图。

图3为现有另一种的AM OLED像素结构示意图。

图4为本实用新型的AMOLED像素结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施例对本实用新型作进一步的阐述。