[实用新型]划片后废水循环再利用系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种划片后废水循环再利用系统，属于半导体封装行业。 

背景技术

半导体封装行业划片工序需要使用电阻率达到12MΩ.cm以上的纯水，一台DISCO划片机的用水量为4.5L/min，一天24小时的用水量约为6.5吨，划片后的废水直接流到下水道，造成极大的浪费。 

半导体封装行业中去溢、电镀工序需要大量的用水，去溢工序使用自来水可以满足生产需要，用水量为1吨/小时，一天24小时的用水量为24吨；电镀工序需要使用2MΩ.cm以上纯水和自来水，纯水的用水量为0.5吨/小时，一天24小时的用水量为12吨；自来水的用水量为2吨/小时，一天的用水量为48吨。 

划片后的废水中只存在划片过程中切割下来的硅渣，为了避免浪费水资源，只需除去硅渣，即可合理利用划片后的纯水，因此寻求一种划片后废水循环再利用系统，提高水资源的利用效率尤为重要。 

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种提高水资源的利用效率的划片后废水循环再利用系统。 

本实用新型的目的是这样实现的： 

一种划片后废水循环再利用系统，它从前至后依次包括第一沉降罐、第二沉降罐以及储水罐，所述第一沉降罐的出水口与第二沉降罐的进水口至间设置有第一过滤管道，所述第二沉降罐的出水口与储水罐的进水口至间设置有第二过滤管道，所述第一过滤管道上从前至后设置有第一输送泵以及第一过滤装置，所述第二过滤管道上从前至后设置有第二输送泵、第二过滤装置以及水质检测装置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是： 

本实用新型可以将划片后废水中的硅渣去除，再通过水质检测，确认处理后的纯水是否符合电镀的纯水需求，如符合电镀纯水需求，优先供应电镀纯水需求；如不符合电镀纯水需求的电阻率，处理后的纯水可以取代部分去溢、电镀工序的自来水需求，减少水资源的使用。该划片后废水循环再利用系统具有提高水资源的利用效率的优点。

附图说明

图1为本实用新型划片后废水循环再利用系统的示意图。 

其中： 

第一沉降罐1

第二沉降罐2

储水罐3

第一过滤管道4

第二过滤管道5

划片后废水管6

第一输送泵7

第一过滤装置8

第二输送泵9

第二过滤装置10

水质检测装置11

去溢、电镀工序进水管12。

具体实施方式

参见图1，本实用新型涉及的一种划片后废水循环再利用系统，它从前至后依次包括第一沉降罐1、第二沉降罐2以及储水罐3，所述第一沉降罐1的出水口与第二沉降罐2的进水口至间设置有第一过滤管道4，所述第二沉降罐2的出水口与储水罐3的进水口至间设置有第二过滤管道5，所述第一沉降罐1的进水口连接划片后废水管6，所述第一过滤管道4上从前至后设置有第一输送泵7以及第一过滤装置8，所述第二过滤管道5上从前至后设置有第二输送泵9、第二过滤装置10以及水质检测装置11，所述储水罐3的出水口连接去溢、电镀工序进水管12。