[实用新型]高功率因素低成本荧光灯电子镇流器

说明书

技术领域

本实用新型涉及荧光灯镇流器，具体涉及一种高功率因素低成本荧光灯电子镇流器。 

背景技术

由于受成本及价格的影响，目前市场上出售的荧光灯的电子镇流器大多采用磁环反馈的自激振荡方式，由双极型晶体管组成半桥逆变电路。它的优点是电路简单、价格便宜。但同时存在以下缺点：（1）电路的工作频率由晶体管的存储时间、磁环的几何尺寸、磁性参数、线圈匝数、饱和程度、电路元器件参数等因素确定。电路集自激振荡和功率放大于一体，改变其中任何一个参数，影响整个电路的工作状态，使很多特性随之改变。很难找到一个简易的设计方法，把电路调整到合理的、更不用说是最佳的状态。另外，受元件误差和工作条件的限制，很难把工作频率精确地设定为某一特定值，且随着电源电压的变化，所设定的频率也会发生变化，导致输出功率不稳定，工作不可靠。（2）没有灯丝预热及开路保护功能，容易造成灯丝开路及半桥逆变输出晶体三极管损坏，荧光灯的寿命短。（3）没有功率因素校正电路，电子镇流器的功率因素一般不超过0.6，电能的利用率低。 

发明内容

为解决现有荧光灯电子镇流器的不足，本实用新型公开一种高功率因素低成本荧光灯电子镇流器。该高功率因素低成本荧光灯电子镇流器的功率因素高、成本低、效率高、体积小、重量轻、保护功能完善、使用寿命长，可应用于荧光灯电子镇流器领域。 

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：本实用新型由依次顺序连接的EMI滤波电路、整流滤波电路、PFC电路、半桥逆变及保护电路、升压镇流电路组成。EMI滤波电路是由电容C1和电感L1组成的高频滤波电路。PFC电路是由二极管D5、D6、D7，电容C3、C4和电阻R1组成的无源功率因素校正电路。半桥逆变及保护电路集成电路芯片IR2520D及其外围的MOSFET管Q1、Q2，电阻R2、R3，电容C5～C9，二极管D8、D9组成，具有荧光灯电子镇流器所须的预热、触发、运行和灯丝开路、触发失败、低输入线电压保护功能，半桥逆变电路的起始频率是100kHz，运行频率是40.3kHz。升压镇流电路由L2和C10组成的串联谐振电路。 

本实用新型的积极效果在于：功率因素高、成本低、效率高、体积小、重量轻、保护功能完善、使用寿命长。 

附图说明

图1为本实用新型的方框图。 

图2为本实用新型的电路原理图。 

具体实施方式

如附图1所示，本实用新型由依次顺序连接的EMI滤波电路、整流滤波电路、PFC电路、半桥逆变及保护电路、升压镇流电路组成。 

如附图2所示， EMI滤波电路是由电容C1和电感L1组成的高频滤波电路，用于抑制半桥逆变电路产生的高频脉冲对市电电源的干扰。D1、D2、D3、D4和C2组成整流滤波电路，将220V交流电整流滤波得到300V左右的直流电压，为半桥逆变电路供电。 

PFC电路是由二极管D5、D6、D7，电容C3、C4和电阻R1组成的无源功率因素校正电路。在被整流交流输入的每个半波期间，电容C3和C4经由二极管D6和电阻R1而被串联充电至交流峰值电压的1/2。R1的作用是在对电容器进行充电的过程中，降低电流波形的波峰。当总线电压随正弦波波形下降至Vpeak/2之后，电容开始提供输出电流，直至被整流交流输入在下一个半波期间再次超过Vpeak/2。这个无源PFC电路可将功率因数提供到0.945以上，总谐波失真THD<29.65%。 

集成电路芯片IR2520D，MOSFET管Q1、Q2，电阻R2、R3，电容C5～C9，二极管D8、D9组成半桥逆变及保护电路，具有荧光灯电子镇流器所须的预热、触发、运行和灯丝开路、触发失败、低输入线电压保护功能。IR2520D是一个内置自适应零电压开关（ZVS）及零电流开关（ZCS）的镇流器控制器，芯片内集成了自适应镇流器控制器和600V半桥驱动器。通过ZVS/ZCS模式运行镇流器，无论元器件、灯管容差及母线电压如何变化，都能到达最高效率。