[实用新型]一种新型快速恢复二极管有效
| 申请号： | 201220577975.7 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN203013737U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘钺杨;高文玉;王耀华;张冲;金锐;于坤山 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 快速 恢复 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速恢复二极管，包括P型掺杂区，均匀掺杂的本征区，N型掺杂区和阳极、阴极金属层及场氧化膜，其特征在于所述P型掺杂区包括高浓度P型掺杂区HP和低浓度P型掺杂区LP。
2.如权利要求1所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述HP和LP相间、交错分布。
3.如权利要求1所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述场氧化膜上刻蚀有离子注入窗口。
4.如权利要求3所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述离子注入窗口的间距为L，形状为正六边形、正方形、圆形或插指形。
5.如权利要求4所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述离子注入窗口的间距L为固定值或非固定值。
6.如权利要求4所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述L为固定值。
7.如权利要求3所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述离子注入窗口为正六边形。
8.如权利要求3所述的一种快速恢复二极管，其特征在于所述场氧化膜上等间距分布有正六边形离子注入窗口。
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