[实用新型]一种金色低辐射镀膜玻璃有效
| 申请号： | 201220594267.4 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN203095875U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 林嘉佑 | 申请（专利权）人： | 林嘉佑 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36;B32B17/06;B32B15/04 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金色 辐射 镀膜 玻璃 | ||
【权利要求书】：
一种金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃依次包括：玻璃基板、底层电介质层、底层阻挡层、功能层、顶层阻挡层、顶层电介质层和顶层半导体层；其中，底层电介质层为TiOx层，底层阻挡层为NiCr层或CrNx层，功能层为Ag层，顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层，顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，顶层半导体层为Si层。
根据权利要求1所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述底层电介质层膜厚为10～30nm，底层阻挡层膜厚为0～10nm，功能层膜厚为10～30nm，顶层阻挡层膜厚为0～10nm，顶层电介质层膜厚为80～110nm，顶层半导体层膜厚为0～10nm。
根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述底层电介质层膜厚为19.1nm。
根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述底层阻挡层膜厚为1.7nm。
根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述功能层膜厚为15.3nm。
根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层阻挡层膜厚为3.9nm。
根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层电介质层膜厚为91.5nm。
根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层半导体层膜厚为5nm。
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