[实用新型]像素电路和显示装置有效
| 申请号： | 201220594638.9 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN202917146U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 吴仲远;段立业 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 电路 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种像素电路，其特征在于，包括：
发光元件；
用于驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管，其漏极输入电源电压信号；
第一薄膜晶体管，其源极与所述发光元件相连接，其漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极相连接，其栅极接收第一控制信号；
第二薄膜晶体管，其源极接收数据信号，其漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接，其栅极接收扫描信号；
第三薄膜晶体管，其源极接收参考电压信号，其栅极接收所述扫描信号；
第四薄膜晶体管，其源极与所述第三薄膜晶体管的漏极相连接，其漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极及所述第二薄膜晶体管的漏极相连接，其栅极接收第二控制信号；
电容，所述电容的一极板连接至第一节点，另一极板连接至第二节点，所述第一节点为所述第一薄膜晶体管漏极与所述驱动薄膜晶体管源极的连接点，所述第二节点为所述第四薄膜晶体管源极与所述第三薄膜晶体管漏极的连接点。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，
所述驱动薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，
所述薄膜晶体管为耗尽型薄膜晶体管，或者增强型薄膜晶体管。
4.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路，其特征在于，
所述发光元件为有机发光二极管。
5.一种显示装置，其特征在于，设置有权利要求1-4任一项所述的像素电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220594638.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
