[实用新型]精简式尖峰电流过载保护电路

说明书

技术领域

本实用新型的实施例涉及过载保护电路，特别是一种应用IGBT开通时的短暂尖峰过载保护电路。

背景技术

绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，因此现今应用日益广泛。但是IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理，制约着IGBT的推广及应用。性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减少开关损耗，对装置的运行效率、可靠性、安全性都有重要的意义。但是在开关电源装置中，由于它工作在大电流的条件下，使得 IGBT 极容易损坏。

发明内容

本实用新型是针对上述问题，旨在提供一种IGBT开通时短暂尖峰过载情况下的稳定可靠，具有过流保护功能的IGBT保护电路。

本实用新型的实现方式是: 采用时间封锁电路，主要由过流比较电路、信号封锁电路组成；其中过流比较电路由比较器U1A与分压电阻R1及三极管Q1串联组成，信号封锁电路由反馈放大器U2A、电阻R2、放电电容C1连接组成。

本实用新型的有益技术效果是当IGBT开通时因后级存在大容量电容等原因而产品尖峰电流时，本实用新型电路可实现对驱动信号的封锁，封锁时间由放电电容C1的放电时间决定，可通过调节放电电容C1实现对驱动信号封锁时间的控制，从而有效的保护了IGBT。

附图说明

图1是本实用新型的原理框图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

本实用新型实施例中所有电路均默认控制信号、驱动信号低电平开通IGBT，过流信号低电平有效，封锁信号高电平有效。

参照图1，本实用新型主要采用时间封锁电路，主要由过流比较电路、信号封锁电路组成；其中过流比较电路由比较器U1A与分压电阻R1及三极管Q1串联组成，信号封锁电路由反馈放大器U2A、电阻R2、放电电容C1连接组成。 实施例中U1A采用LM311比较器实现。

当IGBT开通瞬间，产生的尖峰电流超过阈值时，比较器U1A输出翻转，Q1导通，C1完成充电，经比较器U2A输出的封锁信号为高电平。当IGBT关断后，电流值下降，U2A比较器输出恢复正常时的低电平，Q1截止，C1通过 R2及U1A比较器进行放电，在C1放电过程至电压下降到或门的输入低电平阈值电压(约0.7 V)之前，封锁信号将维持在高电平。即C1的放电时间决定了控制封锁信号的持续时间，调整电容C1即可调整对控制信号的封锁时间，实现对IGBT的保护功能。