[实用新型]像素电路以及有机发光显示装置有效

专利信息
申请号: 201220601021.5 申请日: 2012-11-14
公开(公告)号: CN203118410U 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 黄荣仁 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;刘铮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 以及 有机 发光 显示装置
【权利要求书】:

1.像素电路,其特征在于包括: 

有机发光二极管,所述有机发光二极管的阴极连接至第二电源电压; 

第一PMOS晶体管,连接在第一电源电压与有机发光显示装置的阳极之间,所述第一PMOS晶体管的栅端连接至第一节点; 

第二PMOS晶体管,连接在所述第一节点与所述有机发光二极管的阳极之间,所述第二PMOS晶体管的栅端接收补偿控制信号; 

第一电容器,连接在第二节点与所述第一节点之间; 

第二电容器,连接在所述第一电源电压与所述第二节点之间; 

第三PMOS晶体管,连接在数据线与所述第二节点之间,所述第三PMOS晶体管的栅端接收所述补偿控制信号; 

第四PMOS晶体管,连接在第三节点与所述第二节点之间,所述第四PMOS晶体管的栅端接收发射控制信号; 

第三电容器,连接在所述第三节点与所述第三PMOS晶体管的栅端之间;以及 

第五PMOS晶体管,连接在所述数据线与所述第三节点之间,所述第五PMOS晶体管的栅端连接至扫描线。 

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于还包括: 

第四电容器,连接在所述有机发光二极管的阳极与阴极之间。 

3.像素电路,其特征在于包括: 

有机发光二极管,所述有机发光二极管的阴极连接至第二电源电压; 

第一PMOS晶体管,连接在第一电源电压与所述有机发光二极管的阳极之间,所述第一PMOS晶体管的栅端连接至第一节点; 

第二PMOS晶体管,连接在所述第一节点与所述有机发光二极管的阳极之间,所述第二PMOS晶体管的栅端接收补偿控制信号; 

第一电容器,连接在第二节点与所述第一节点之间; 

第二电容器,连接在所述第一电源电压与所述第二节点之间; 

第三PMOS晶体管,连接在数据线与所述第二节点之间,所述第三PMOS晶体管的栅端接收所述补偿控制信号; 

第四PMOS晶体管,连接在第三节点与所述第二节点之间,所述第四PMOS晶体管的栅端接收发射控制信号; 

第三电容器,连接在所述第三节点与维持电源电压之间;以及 

第五PMOS晶体管,连接在所述数据线与所述第三节点之间,所述第五PMOS晶体管的栅端连接至扫描线。 

4.如权利要求3所述的电路,其特征在于还包括: 

第四电容器,连接在所述有机发光二极管的阳极与阴极之间。 

5.像素电路,其特征在于包括: 

有机发光二极管,所述有机发光二极管的阳极连接至第一电源电压; 

第一NMOS晶体管,连接在第二电源电压与所述有机发光二极管的阴极之间,所述第一NMOS晶体管的栅端连接至第一节点; 

第二NMOS晶体管,连接在所述第一节点与所述有机发光二极管的阴极之间,所述第二NMOS晶体管的栅端接收补偿控制信号; 

第一电容器,连接在第二节点与所述第一节点之间; 

第二电容器,连接在所述第二电源电压与所述第二节点之间; 

第三NMOS晶体管,连接在数据线与所述第二节点之间,所述第三NMOS晶体管的栅端接收所述补偿控制信号; 

第四NMOS晶体管,连接在第三节点与所述第二节点之间,所述第四NMOS晶体管的栅端接收发射控制信号; 

第三电容器,连接在所述第三节点与所述第三NMOS晶体管的栅端之间;以及 

第五NMOS晶体管,连接在所述数据线与所述第三节点之间,所述第五NMOS晶体管的栅端连接至扫描线。 

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