[实用新型]一种阵列基板的外围电路、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220601606.7 申请日: 2012-11-14
公开(公告)号: CN202886795U 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 王盛 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L23/60
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 外围 电路 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板的外围电路、阵列基板及显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)阵列基板的外围电路中,包括栅极扫描线和数据信号线的外围电路均有保护层,在TFT阵列基板与彩膜基板对盒工艺后,还包括沿彩膜基板的切割线将彩膜切割掉一部分,使阵列基板上的外围电路裸露在外面,以便进行后续芯片压接等程序。

外围电路中的栅极扫描线和数据信号线的保护层一般为TFT外层的钝化层,保护层较薄,厚度一般在几纳米左右,并且钝化保护层为氧化硅或者氮化硅绝缘层,这类绝缘层的硬度较低。因此,对于硬度较低且厚度较薄的钝化保护层,在TFT阵列基板与彩膜基板对盒后,沿彩膜基板的切割线切割彩膜,以露出其下面的阵列基板上的外围电路时,容易将钝化保护层下面的数据信号线和栅极扫描线切断,导致与数据信号线和栅极扫描线的端子处连接的芯片与TFT断开,液晶显示装置良品率的降低。

更重要的是,随着显示装置分辨率越来越高,阵列基板上的布线越来越多,越来越密集,对于阵列基板上的TFT,常常会发生静电释放(Electro-Staticdischarge,ESD)损伤外围电路的现象。在切割彩膜基板的过程中或其他情况下,外界因素对保护层下面的数据信号线或栅极扫描线的影响较大,尤其是保护层较薄的情况下,数据信号线或栅极扫描线更容易积累电荷。当数据信号线和栅极扫描线没有被切割断的情况下,TFT电极上的电荷容易积累到更高的电压水平,当电极上的静电电荷积累到一定程度时,分离TFT的源电极、漏电极,和栅电极的绝缘薄膜层就有可能被击穿,导致源电极、栅电极、漏电极之间发生短路,即使源电极和栅电极之间的绝缘薄膜层没有被击穿,也会导致源电极和栅电极存在电压差异,使得TFT的工作特性发生改变。

现有技术通过钝化层作为外围电路的保护层,首先厚度不足以保护外围电路,容易造成ESD损伤TFT,另外钝化层为绝缘层,硬度较低,容易损坏外围电路,导致降低液晶显示装置的良品率。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板的外围电路、阵列基板及显示装置,用以避免外围电路静电损伤,提高显示装置的良品率。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板的外围电路,包括:形成在基板上位于外围区域的电路层,还包括:形成在所述基板上用于保护所述电路层的至少一层电路保护层,其中,形成在所述基板上位于最外一层的电路保护层为有机层。

较佳地,所述形成在基板上的所有电路保护层的厚度不大于液晶盒厚与电路层厚度的差值。

较佳地,形成在基板上的所有电路保护层为两层,为第一电路保护层和第二电路保护层;

所述第一电路保护层为形成在所述基板上位于最外一层的电路保护层;

所述第二电路保护层为位于所述第一电路保护层和电路层之间的电路保护层。

较佳地,所述第二电路保护层与覆盖阵列基板上的薄膜晶体管的钝化层同层设置。

较佳地,所述第一电路保护层覆盖阵列基板的整个外围区域,或所述第一电路保护层覆盖与所述电路层相对应的区域。

较佳地,所述第一电路保护层为由有机材料制作而成的光阻层。

较佳地,所述第二电路保护层为氮化硅或氧化硅膜层。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板,包括所述阵列基板的外围电路。

本实用新型实施例提供的一种显示装置,包括所述阵列基板。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板的外围电路,包括依次覆盖在所述外围电路上的至少一层电路保护层,其中,至少一层电路保护层为有机层。多层保护层可以有效保护外围电路免受静电影响。并且,保护层可以是有机层,可有效防止在切割彩膜基板时,造成外围电路损坏。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板的外围电路俯视示意图;

图2为本实用新型实施例提供的图1所示的阵列基板在A-B向的截面示意图;

图3为本实用新型实施例提供的在图2所示的阵列基板增加有第二电路保护层的截面示意图;

图4为本实用新型实施例提供的阵列基板的双层布线的外围电路剖面结构示意图;

图5为本实用新型实施例提供的阵列基板的单层布线包含栅极扫描线的外围电路剖面结构示意图;

图6为本实用新型实施例提供的第二电路保护层覆盖整个外围区域的阵列基板俯视示意图;

图7为本实用新型实施例提供的第二电路保护层覆盖外围电路的阵列基板俯视示意图。

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