[实用新型]YVO4晶体生长的保温装置

说明书

【技术领域】

本实用新型具体涉及一种YVO₄晶体生长的保温装置。

【背景技术】

目前YVO₄晶体生长的坩埚周围使用的保温层一般为氧化锆层，而氧化锆有三种晶体形态：单斜、四方、立方晶相。常温下氧化锆只以单斜相出现，加热到1100℃左右转变为四方相，加热到更高温度会转化为立方相。由于在单斜相向四方相转变的时候会产生较大的体积变化，冷却的时候又会向相反的方向发生较大的体积变化。

YVO₄晶体的熔点是1810℃，晶体生长时坩埚周围的温度接近于1900℃，每次YVO₄均要在高温熔点附近进行晶体生长，生长结束后再退火到室温。一次装置可以重复使用多次，生长出多根晶体，需要多次穿越氧化锆相变点，坩埚周围的保温层氧化锆层会反复地进行相变，由于相变时体积会有相应的变化，导致坩埚周围的保温层结构不稳定，会一直在改变，甚至出现空洞层，严重影响到晶体生长温场的稳定，进而影响到生长的晶体质量。

【实用新型内容】

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种YVO₄晶体生长的保温装置，保温层结构能够保持稳定，使晶体生长温场更稳定，从而有利于提高晶体质量。

本实用新型是通过以下技术方案解决上述技术问题的：一种YVO₄晶体生长的保温装置，包括一石英圆筒、一支撑筒、一三氧化二铝托盘、一铱坩埚、一钙稳定ZrO₂颗粒层和一热电偶；所述石英圆筒位于支撑筒的上方；所述三氧化二铝托盘设于石英圆筒和支撑筒之间；所述铱坩埚设于石英圆筒内部，且该铱坩埚的外侧壁与石英圆筒内壁之间设有一三氧化二铝垫圈；所述钙稳定ZrO₂颗粒层设于石英圆筒内部，并位于铱坩埚和三氧化二铝托盘之间；所述热电偶穿过三氧化二铝托盘，且该热电偶的测量端邻近所述铱坩埚。

本实用新型的有益效果在于：保温层结构能够保持稳定，使晶体生长温场更稳定，从而有利于提高晶体质量。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1为本实用新型YVO₄晶体生长的保温装置的纵剖视图。

【具体实施方式】

请参阅图1，一种YVO₄晶体生长的保温装置，包括一石英圆筒5、一支撑筒7、一三氧化二铝托盘6、一铱坩埚2、一钙稳定ZrO₂颗粒层3和一热电偶4；所述石英圆筒5位于支撑筒7的上方；所述三氧化二铝托盘6设于石英圆筒5和支撑筒7之间；所述铱坩埚2设于石英圆筒5内部，且该铱坩埚2的外侧壁与石英圆筒5内壁之间设有一三氧化二铝垫圈1；所述钙稳定ZrO2颗粒层3设于石英圆筒5内部，并位于铱坩埚2和三氧化二铝托盘6之间；所述热电偶4穿过三氧化二铝托盘6，且该热电偶4的测量端邻近所述铱坩埚2。

本实用新型的保温层采用钙稳定ZrO₂颗粒层3，而钙稳定氧化锆的晶体形态为四方相，可以在常温下稳定，在YVO₄晶体生长过程中，保温层钙稳定ZrO2颗粒层3不会产生因相变而引起体积变化的问题，因而本实用新型的保温层结构能够保持稳定，使晶体生长温场更稳定，从而有利于提高晶体质量。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。