[实用新型]基于PVDF阵列的压电式次声波传感器有效
| 申请号： | 201220604790.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202928686U | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 万舟;曹碧生;熊新;朱森森;程立;韩锦川 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G01H11/08 | 分类号： | G01H11/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 pvdf 阵列 压电 次声波 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于PVDF阵列的压电式次声波传感器，其特征在于：其包括外壳（1）、接收平膜片（2）、采集平膜片（3）、接收平膜片箍（4）、采集平膜片箍（5）、基座（6）、PVDF压电薄膜（7），外壳（1）固定在基座（6）上，接收平膜片（2）和采集平膜片（3）通过接收平膜片箍（4）和采集平膜片箍（5）固定在外壳（1）的两截面端上， PVDF压电薄膜（7）阵列设置在采集平膜片（3）的靠近基座（6）的一侧。
2.根据权利要求1所述的基于PVDF阵列的压电式次声波传感器，其特征在于：外壳（1）为圆柱形，其两截面端边缘带有螺纹。
3.根据权利要求1所述的基于PVDF阵列的压电式次声波传感器，其特征在于：接收平膜片箍（4）、采集平膜片箍（5）和基座（6）为同心圆状，接收平膜片箍（4）和采集平膜片箍（5）内沿带有螺纹，接收平膜片箍（4）和采集平膜片箍（5）内沿螺纹与外壳（1）两截面端边缘螺纹相匹配。
4.根据权利要求1所述的基于PVDF阵列的压电式次声波传感器，其特征在于：接收平膜片（2）和采集平膜片（3）间的空腔内注满硅油。
5.根据权利要求1所述的基于PVDF阵列的压电式次声波传感器，其特征在于：基座（6）上设置有固定孔（8）和信号线引出孔（9）。
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