[实用新型]用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器、密码芯片

权利要求书

1.一种用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器，其特征在于，包括： 

第一PMOS管和第二PMOS管组成的电流镜，其中，所述第一PMOS管的源极为参考电压输入端，所述第二PMOS管的源极为所述稳压器的电压输出端； 

第一电流源，连接在所述第一PMOS管的源极和电源之间； 

第二电流源，连接在所述第一PMOS管的漏极和公共地之间； 

第三电流源，连接在所述第二PMOS管的漏极和公共地之间； 

控制字发生器，用于根据所述密码芯片的状态，生成电流控制字； 

分流电流源，连接在所述第二PMOS管的源极和电源之间，所述分流电流源的电流值由所述电流控制字控制，其中，当所述密码芯片处于加解密运算状态时，所述电流控制字为随机码，所述分流电流源的电流值为随机电流值； 

第三NMOS管，连接在所述第二PMOS管的源极与公共地之间。 

2.根据权利要求1所述的稳压器，其特征在于，还包括： 

串联连接的电阻和电容，连接在所述第三NMOS管的漏极和栅极之间。 

3.根据权利要求1所述的稳压器，其特征在于，还包括： 

旁路电容，连接在所述第二PMOS管的源极和公共地之间。 

4.根据权利要求1所述的稳压器，其特征在于，还包括： 

第四NMOS管，连接在所述第二PMOS管的源极与电源之间； 

上电控制电路，连接在所述第四NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的源极之间，用于根据所述电压输出端的电压值，生成使得所述第四NMOS管导通的偏置电压。 

5.一种密码芯片，包括参考电压提供模块、稳压器和密码模块，其特征在于，所述稳压器包括： 

第一PMOS管和第二PMOS管组成的电流镜，其中，所述第一PMOS管的源极为参考电压输入端，所述第二PMOS管的源极为所述稳压器的电压输出端； 

第一电流源，连接在所述第一PMOS管的源极和电源之间； 

第二电流源，连接在所述第一PMOS管的漏极和公共地之间； 

第三电流源，连接在所述第二PMOS管的漏极和公共地之间； 

控制字发生器，用于根据所述密码芯片的状态，生成电流控制字； 

分流电流源，连接在所述第二PMOS管的源极和电源之间，所述分流电流源的电流值由所述电流控制字控制，其中，当所述密码芯片处于加解密运算状态时，所述电流控制字为随机码，所述分流电流源的电流值为随机电流值； 

第三NMOS管，连接在所述第二PMOS管的源极与公共地之间。 

6.根据权利要求5所述的密码芯片，其特征在于，所述稳压器还包括： 

串联连接的电阻和电容，连接在所述第三NMOS管的漏极和栅极之间。 

7.根据权利要求5所述的密码芯片，其特征在于，所述稳压器还包括： 

旁路电容，连接在所述第二PMOS管的源极和公共地之间。 

8.根据权利要求5所述的密码芯片，其特征在于，所述稳压器还包括： 

第四NMOS管，连接在所述第二PMOS管的源极与电源之间； 

上电控制电路，连接在所述第四NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的源极之间，用于根据所述电压输出端的电压值，生成使得所述第四NMOS管导通的偏置电压。 

9.根据权利要求5所述的密码芯片，其特征在于，所述密码芯片还包括时钟信号发生器。