[实用新型]一种高频隔离式控逆一体机有效

专利信息
申请号: 201220605305.1 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN202949373U 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 王宝珠;常东来;王海龙;宋风才 申请(专利权)人: 中科恒源科技股份有限公司
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H02M3/335;H02M7/5387
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 周晓娜
地址: 101500 北京市密云县经济开*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 隔离 式控逆 一体机
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电流的变压与变频领域。具体为一种高频隔离式控逆一体机。

背景技术

一些大功率的电器,如冰箱、空调等,在直接启动的瞬间其电流最高可达额定电流的二十多倍,不仅可损坏相关的设备,还可能会对整个电网造成重大的不利影响。目前采取的措施是在电路中增加逆变装置,利用逆变装置的工频变压器的抗冲击能力来减小或消除冲击性负载。具体如图1所示,逆变装置包括功率器件7和工频变压器8,经过功率器件7和工频变压器8的电流转变为220V的交流电。这种方案可有效地消除冲击性负载,但是由于工频变压器需要用到大量的磁性材料和导线材料,其体积大、重量高、价格高且效率低下,导致整个逆变装置不仅笨重且成本高、效率低。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有的逆变装置笨重、成本高且效率低的缺点,提供一种低成本、高效率、体积小且重量轻的高频隔离式控逆一体机。

本实用新型的高频隔离式控逆一体机,包括将蓄电池的低压直流电转变成低压正负脉冲高频交流电的升压全桥、将低压正负脉冲高频交流电转变成高压正负脉冲高频交流电的高频变压器、将高压正负脉冲高频交流电转变成高压正脉冲高频直流电的整流桥、将高压正脉冲高频直流电转换成高压直流电的电容及将所述高压直流电逆变为220V交流电的逆变桥。

作为优选,所述升压全桥包括四个MOS管,所述逆变桥包括四个IGBT管。

作为进一步优选,所述高频隔离式控逆一体机还包括对所述220V交流电进行滤波的滤波电路。

本实用新型的高频隔离式控逆一体机和现有技术相比,具有以下有益效果:本实用新型高频隔离式控逆一体机大大提高了交流电的频率,因而其所需的磁通量大大减小,因而变压器的截面就可以减小,同时它的匝数也可以减少,因而一方面可大大节省磁性材料和导线材料,从而降低了成本,另一方面,高频变压器的效率远远高于工频变压器,因此本实用新型的高频隔离式控逆一体机可大大提高效率。另外,由于高压变频器和其他部件体积很小,与采用工频变压器的逆变装置相比,本实用新型的高频隔离控逆一体机也大大减小了体积和重量。

附图说明

图1为现有的逆变装置的电路示意图。

图2为本实用新型的一个实施例的高频隔离式控逆一体机的电路示意图。

附图标记

1-升压全桥,2-高频变压器,3-整流桥,4-逆变桥,5-滤波电路,6-蓄电池,7-功率器件,8-工频变压器,9-电容。

具体实施方式

图2为本实用新型的一个实施例的高频隔离式控逆一体机的电路示意图。如图2所示,本实用新型的高频隔离式控逆一体机,包括升压全桥1、高频变压器2、整流桥3、电容9和逆变桥4。在本实施例中,所述升压全桥1包括四个MOS管(金属—氧化物—半导体场效应晶体管),升压全桥1与蓄电池6连接,将蓄电池的24V直流电转变成高频的24V正负脉冲高频交流电。高频变压器2将24V正负脉冲高频交流电转变成384V正负脉冲高频交流电。整流桥3进一步将384V正负脉冲高频交流电转变成384V正脉冲高频直流电。电容9将高压正脉冲高频直流电转换成380V高压直流电,逆变桥4将所述高压直流电逆变为220V交流电。在本实施例中,逆变桥包括四个IGBT管(绝缘栅双极型晶体管)。

作为优选,所述高频隔离式控逆一体机还包括对所述220V交流电进行滤波的滤波电路5,用于滤去整流输出电压中的纹波。滤波电路5可采用常用的滤波电路。

变压器线圈端电压U、匝数N、频率f和磁通Φ的关系符合公式U=4.44fN*Φ。从该公式可知,当变压器线圈端电压U确定时,频率和磁通是成反比的,频率高了,磁通量就小。在本实用新型中采用了高频变压器2,和现有技术中采用工频电压器相比,大大提高了交流电的频率,因而其所需的磁通量大大减小,因而变压器的截面就可以减小,同时它的匝数也可以减少,因而一方面可大大节省磁性材料和导线材料,从而降低了成本,另一方面,高频变压器的效率远远高于工频变压器,因此本实用新型的高频隔离式控逆一体机可大大提高效率。另外,由于高压变频器和其他部件体积很小,与采用工频变压器的逆变装置相比,本实用新型的高频隔离控逆一体机也大大减小了体积和重量。

以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例,不用于限制本实用新型,本实用新型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员在本实用新型的实质和保护范围内,对本实用新型做出的各种修改或等同替换也落在本实用新型的保护范围内。

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