[实用新型]一种三频双端口合路器有效
申请号: | 201220606826.9 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN203013893U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 吉奕 | 申请(专利权)人: | 丹阳华神电器有限公司 |
主分类号: | H01P1/213 | 分类号: | H01P1/213 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 高桂珍 |
地址: | 212300 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三频双 端口 合路器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种合路器,尤其涉及一种TD-(A&F)&TD-E/LTE-TDD三频双端口合路器,属于通信器件技术领域。
背景技术
我国现有的移动通信网络已经进入4G商业试运营阶段,除了原有中国移动的TD-SCDMA,中国联通的CDMA2000和中国电信的WCDMA及其他通信系统,中国移动又增加了LTE-TDD 4G系统。室外场所网络信号可以通过升级基站进行覆盖,室内信号可以通过升级的室内覆盖系统来解决。
但是,现有技术中的合路器不能实现多频合路,性能较低,不能既能满足移动通信现运行3G通信的市场要求,又能满足未来4G商用发展需求,结构复杂,成本高。
发明内容
本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种能实现多频合路,且性能较高,既能满足移动通信现运行3G通信的市场要求,又能满足未来4G商用发展需求,结构简单成本低。
为了解决上述技术问题,本实用采用的技术方案是,一种三频双端口合路器,包括腔体、第一信号输入端口、第二信号输入端口和信号输出端口,第一通路、第二通路、第三通路;所述信号输入端口,分别是频率范围为1880-2025MHz和2300-2380MHz的TD-SDMA第一信号输入端口、频率范围为2500-2690MHz的LTE-TDD第二信号输入端口;所述的腔体分别由三路工作频率范围不同的谐振腔组成。
作为本实用新型的进一步改进,所述的三路谐振腔分别是频率范围为1880-2025MHz的TD-(A&F)谐振腔、频率范围为2300-2380MHz的TD-E谐振腔和频率范围为2500-2690MHz的LTE-TD谐振腔,每路谐振腔的一端与相应的输入端口连接,谐振腔的另一端与公共输出端口连接。
作为本实用新型的进一步改进,所述的三路谐振腔均由若干个谐振单元组成。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:本实用新型的三频双端口合路器可以实现多频合路,且性能较高,既能满足移动通信现运行3G通信的市场要求,又能满足未来4G商用发展需求,结构简单,成本低。
附图说明
图1是本实用新型三频双端口合路器的去盖后的主视图。
图中:1、腔体;2、谐振柱;3、信号输出端口;4、第一信号输入端口;5、第二信号输入口;6、信号连接线;7、第一通路;8、第二通路;9、第三通路;10、公共谐振柱。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
图1是本实用新型三频双端口合路器去盖后的主视图,包括腔体1、第一信号输入端口4和第二信号输入端口5,第一通路7、第二通路8、第三通路9;谐振柱2、所述信号输入端口有两个,分别是频率范围为1880-2025MHz和2300-2380MHz的TD-SDMA第一信号输入端口4、频率范围为2500-2690MHz的LTE-TDD第二信号输入端口5。
腔体1分隔成三路不同工作频率范围的谐振腔,其中,频率范围1880-2025MHz的TD-(A&F)谐振腔由六个谐振单元组成,其一端与TD-(A&F)&TD-E第一信号输入端口4连接,频率范围2300-2380MHz的TD-E谐振腔由九个谐振单元组成,其一端与TD-(A&F)&TD-E第一信号输入端口4连接,频率范围为2500-2690MHz的LTE-TDD谐振腔由八个谐振单元组成,其一端与LTE-TDD第二信号输入端口5连接,其中频率范围1880-2025MHz的第二通路TD-(A&F)谐振腔与频率范围为2500-2690MHz的第三通路LTE-TDD谐振腔公共一个公共谐振柱10后经信号连接线6连接信号输出端口3。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型的三频双端口合路器能实现多频合路,且性能较高,既能满足移动通信现运行3G通信的市场要求,又能满足未来4G商用发展需求,结构简单成本低。
以上仅是本实用新型的具体应用范例,对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同或者等效替换而形成的技术方案,均落在本实用新型权利保护范围之内。
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