[实用新型]一种面向单层电容触摸屏的改良结构有效
| 申请号： | 201220610475.9 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202976044U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王朋;侯卫京;郭明;李华;刘伯政;刘辉 | 申请（专利权）人： | 敦泰科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 开曼群岛大开曼*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 面向 单层 电容 触摸屏 改良 结构 | ||
1.一种面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，包括：
所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层；
所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域；
所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。
2.如权利要求1所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，
在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层；
所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。
3.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：
所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。
4.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：
所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。
5.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：
所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。
6.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：
所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。
7.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括：
所述补偿层设置于单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。
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