[实用新型]一种单晶硅制绒槽有效
| 申请号： | 201220610519.8 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN202996877U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周子游;刘贤金 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制绒槽 | ||
【权利要求书】：
1. 一种单晶硅制绒槽，包括装有制绒液的槽体（1）和槽体（1）内的加热管（2），其特征是，所述槽体（1）内设有带孔洞（5）的隔板（4），并在隔板（4）顶部安装加热管支架（3），所述加热管（2）放置在加热管支架（3）上。
2.根据权利要求1所述单晶硅制绒槽，其特征是，所述隔板（4）安装在距槽体（1）底面的距离为槽体（1）内液面高度的1/4~1/3。
3.根据权利要求1所述单晶硅制绒槽，其特征是，所述隔板（4）上的孔洞（5）为上宽下窄的漏斗形。
4.根据权利要求3所述单晶硅制绒槽，其特征是，所述隔板（4）上的漏斗形孔洞（5）顶面圆环直径为3厘米。
5.根据权利要求3所述单晶硅制绒槽，其特征是，所述隔板（4）上的漏斗形孔洞（5）底面圆环直径为1厘米。
6.根据权利要求3所述单晶硅制绒槽，其特征是，所述隔板4上的漏斗形孔洞（5）高度为3厘米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
