[实用新型]一种应用于液晶显示产品高效率的反激式电源系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高效率的电源系统，具体指一种应用于液晶显示产品的主开关反激式电源系统。

背景技术

如图1所示，图1为现有一种输出功率在150W左右的液显示产品的电源系统局部电路图。市用交流电经EMI滤波电路01进行EMI滤波后再经过桥式整流电路02进行全波整流后输出一脉动直流电压作为PFC升压电路03（升压式功率因数校正电路）的输入电压，经过PFC升压电路03升压后从输出一约为400V左右直流电提供给主开关反激式电源的变压器T01做电压转换，经整流二极管D03整流后再经过电解电容C03、电感L01、电解电容C04滤波电路滤波后输出如：24V直流电作为液晶面板灯管的驱动电路的输入电压，且24V直流电经反馈控制电路07进行采样反馈处理后输出给驱动芯片U01的反馈输入端,使驱动芯片U01能及时控制变压器T01输出能量，以便输出稳定的24V直流电，PFC升压电路03升压后输出约为400V提供给待机电源电路05进行电压转换后输出如：5V直流电作为主板电路08的供电电压，主板电路08的微控制器（MCU）或是图像处理器输出一PS_on的信号来控制供电控制电路04是否提供Vcc供电电压给主开关反激式电源的驱动芯片U01及PFC升压电路03内部的驱动芯片，以便在待机条件下供电控制电路04能接收PS_on低电平（low）信号，使供电控制电路04停止向驱动芯片U01及PFC升压电路03的驱动芯片输出供电电压，从而使主开关反激式电源及PFC升压电路03停止工作，达到待机时更加节能。

待机电源电路05输出一供电电压提供给供电控制电路04，从供电控制电路04提供给驱动芯片U01作为供电电压；并提供给PFC升压电路03内部的驱动芯片作为供电电压。在主开关反激式电源的变压器T01的初级侧绕组N01的打点端与非打点端之间还接一由二极管D01、电容C02、功率电阻R02组成的RCD吸收钳位电路06，以吸收N沟道的场效应晶体管Q01截止时漏极所产生尖峰电压，确保场效应晶体管Q01漏极所产生电压在任何时间都不超过该N沟道的场效应晶体管本身的最大耐压规格，且存在一定的设计宽度；在N沟道的场效应晶体管Q01截止时，N沟道的场效应晶体管Q01漏极与源极之间产生电压Vds(Q01)=PFC输出电压+变压器T01的次级绕组N02反射电压+变压器T01漏感产生的尖峰电压。

Vds(Q01)=400V+(24+Vf)*Np/Ns+Ip*Lpk/(Coss+C2+Cp)]]>

Vf--整流二极管D03正向导通压降；Np-变压器T01初级绕组N01的圈数；

Ip--流过变压器T01初级绕组N01峰值电流；Ns--变压器T01次级绕组N02的圈数；

Lpk--变压器T01初级绕组N01的漏感；Coss—N沟道场效应晶体管Q01输出寄生电容；

C02--RCD吸收钳位电路06中的电容；Cp------变压器寄生电容；

假设：Vf=0.7V;Np=48T；Ns=6T；Ip=2.5A；Lpk=9uH；Coss+Cp=1000pF；

C02=1500pF时，Vds(Q01)=400V+24.7V*48/6+(2.5*3000/50)V=747.6V,故场效应晶体管Q01通常需要选最规耐压规格为800V的N沟道场效应晶体管，且在Q01截止时，由于变压器T01初级绕组N01的打点端比非打点端电压高：