[实用新型]过电流保护电路有效
申请号: | 201220631440.3 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN202978247U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 张正文 | 申请(专利权)人: | 富鼎先进电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 董云海;彭晓玲 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 保护 电路 | ||
1.一种过电流保护电路,其特征在于,耦接在一开关输出端和一负载间的电流路径上,该过电流保护电路至少包括:一第一过电流侦测单元,耦接该电流路径与一第一电压之间,用以根据该电流路径上的电流输出一第一控制信号;一第二过电流侦测单元,耦接该电流路径与一第二电压之间,用以根据该电流路径上的电流输出一第二控制信号;一控制单元,耦接该第一过电流侦测单元和该第二过电流侦测单元,根据该第一控制信号或该第二控制信号控制该开关以减少该电流路径上的电流。
2.根据权利要求1所述的过电流保护电路,其特征在于,该开关为一晶体管,该晶体管的漏极端耦接一电源输入端,该晶体管的源极端耦接该电流路径。
3.根据权利要求2所述的过电流保护电路,其特征在于,该控制单元还包括:一栅极电压供应电路,耦接该晶体管的栅极端;一第一N型晶体管,该第一N型晶体管的漏极端耦接该晶体管的栅极端,该第一N型晶体管的栅极端接收该第一控制信号;以及一第二N型晶体管,该第二N型晶体管的漏极端耦接该晶体管的栅极端,该第二N型晶体管的栅极端接收该第二控制信号。
4.根据权利要求3所述的过电流保护电路,其特征在于,该第一过电流侦测单元还包括:一第一放大器,具有一正端、一负端以及一输出端,其中该第一放大器的正端与负端根据该电流路径上的电流方向依序耦接至该电流路径;一第三N型晶体管,该第三N型晶体管的栅极端耦接该第一放大器的该输出端,该第三N型晶体管的漏极端耦接该第一放大器的该正端;一第一电阻,将该第一放大器的该正端耦接至该电流路径;以及一第二电阻,该第三N型晶体管的源极端通过该第二电阻耦接该第一电压,其中当一电流流经该第二电阻时会产生该第一控制信号。
5.根据权利要求4所述的过电流保护电路,其特征在于,该第二过电流侦测单元还包括:一第二放大器,具有一正端、一负端以及一输出端,其中该第二放大器的负端与正端根据该电流路径上的电流方向依序耦接至该电流路径;一第一P型晶体管,该第一P型晶体管的栅极端耦接该第二放大器的该输出端,该第一P型晶体管的漏极端耦接该第一放大器的该正端,该第一P型晶体管的源极端耦接该第二电压;一第二P型晶体管与该第一P型晶体管形成一电流镜电路,其中该第二P型晶体管的栅极端耦接该第二放大器的该输出端,该第二P型晶体管的源极端耦接该第二电压;一第三电阻,将该第二放大器的正端耦接至该电流路径;以及一第四电阻,该第二P型晶体管的漏极端耦接该第四电阻,其中当一电流流经该第四电阻时会产生该第二控制信号。
6.根据权利要求5所述的过电流保护电路,其特征在于,当该电流路径产生一过电流时,该第三N型晶体管根据该过电流于该第三N型晶体管的源极端输出一第一电流。
7.根据权利要求6所述的过电流保护电路,其特征在于,该第一电流流经该第二电阻时产生该第一控制信号,以导通该第一N型晶体管改变该开关的栅极电压,减少该电流路径上的电流。
8.根据权利要求5所述的过电流保护电路,其特征在于,当该电流路径产生一过电流时,根据该过电流,该第一P型晶体管通过该电流镜结构于该第二P型晶体管的漏极输出一第二电流。
9.根据权利要求8所述的过电流保护电路,其特征在于,该第二电流流经该第四电阻时产生该第二控制信号,以导通该第二N型晶体管改变该开关的栅极电压,减少该电流路径上的电流。
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