[实用新型]能够实现多芯片同测的晶圆有效
| 申请号： | 201220632743.7 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN202996827U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 谢晋春;桑浚之 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能够 实现 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：包括晶圆，晶圆上设置有多个用于探针测试的压焊点，每个压焊点的上方和/或周边设置有一层金属层；压焊点与金属层相连接；所述压焊点的面积小于50um×50um。
2.根据权利要求1所述的能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：所述位于压焊点上方的金属层，金属层的厚度为5000A～12000A之间。
3.根据权利要求2所述的能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：所述金属层为矩形；金属层的面积在60um×60um至150um×150um之间。
4.根据权利要求1所述的能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：所述位于压焊点周边的金属层，金属层沿探针的划针方向延伸。
5.根据权利要求4所述的能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：所述金属层的长度在60um至150um之间。
6.根据权利要求1所述的能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：所述压焊点包括顶层金属层，顶层金属层的下部连接通孔。
7.根据权利要求6所述的能够实现多芯片同测的晶圆，其特征在于：所述顶层金属层的材料为铝、铜。
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