[实用新型]一种集成大功率LED器件有效

专利信息
申请号: 201220633542.9 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN203179953U 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 程志坚 申请(专利权)人: 深圳市斯迈得光电子有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48;H01L25/075
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地址: 518000 广东省深圳市宝安区石*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 大功率 led 器件
【说明书】:

技术领域:

实用新型涉及照明技术领域,具体涉及一种集成大功率LED器件。 

背景技术:

发光二极管(LED)属于固态光源,被称为第四代革命性光源。由于LED具有发光效率高、耗电少、色彩丰富、无污染等特点,正被广泛应用于TV背光、户内外图文显示屏、信号指示灯等领域。 

LED封装技术是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,LED封装既完成芯片与支架的电气连接,又能起到保护管芯和导线的正常工作,以达到提高产品的稳定性的目的。按封装发展阶段来分,LED器件分为分立式器件和集成式器件。分立式LED器件功率一般在1w以下,多采用单颗芯片封装;集成式LED器件功率较大,一般为5w以上,采用数颗或者数十颗芯片集成封装在一个支架内。 

由于集成式器件具有成本低、散热好、易更换、应用时无需贴片工艺和二次配光设计等优点,其成为了LED发展的主流趋势之一,并主要应用在街道照明、隧道照明、场馆照明等领域。 

现有的LED器件由于芯片上表面低于正、负电极引脚的导线连接区域,在用导线将芯片和电极引脚连接的过程中,需要将导线先拉高,高于电极引脚的导线连接区域后,再将导线拉下连接在电极引脚上,不仅浪费导线,增加生产成本,作业效率低,而且导线过长造成了产 品可靠性降低。 

实用新型内容:

本实用新型的目的是提供一种集成大功率LED器件,它缩短了芯片和电极引脚之间的连接距离,从而减少了导线的用量,降低了生产成本,提高了作业效率,并且由于导线较短,提高了产品的可靠性。 

为了解决背景技术所存在的问题,本实用新型是采用以下技术方案:它包含衬底1、壳体2、反射凹腔3、第一电极引脚4、第二电极引脚5、LED芯片6、金属导线7和封装材料8;衬底1的中心位置设有凸台11,壳体2设置在衬底1的上方,壳体2的中心设有反射凹腔3,凸台11设置在反射凹腔3内,壳体2上设有台阶21,第一电极引脚4和第二电极引脚5镶嵌在壳体2内,且第一电极引脚的内端41和第二电极引脚的内端51设置在台阶21的上方,且第一电极引脚的内端41和第二电极引脚的内端51与凸台11的高度相同,数颗LED芯片6设置在反射凹腔3内,并与凸台11固定连接,各LED芯片6之间及LED芯片6与第一电极引脚和第二电极引脚5之间通过金属导线7连接,封装材料8设置在反射凹腔3内。 

所述的衬底1为金属材质,底部为平板状。 

所述的壳体2为一个空心的环圈状结构,它采用绝缘材质制成,如PPA,陶瓷等。 

所述的第一电极引脚的内端41和第二电极引脚的内端51为导线区。 

所述的封装材料8将LED芯片6和金属导线7覆盖,可以保护LED芯片6和金属导线7。 

本实用新型缩短了芯片和电极引脚之间的连接距离,从而减少了 导线的用量,降低了生产成本,提高了作业效率,并且由于导线较短,提高了产品的可靠性。 

附图说明:

图1为本实用新型的结构示意图; 

图2为本具体实施一的结构示意图; 

图3为本具体实施二的结构示意图; 

图4为本具体实施三的结构示意图。 

具体实施方式:

具体实施方式一: 

参照图1和图2,本具体实施采用以下技术方案:它它包含衬底1、壳体2、反射凹腔3、第一电极引脚4、第二电极引脚5、LED芯片6、金属导线7和封装材料8;衬底1的中心位置设有凸台11,壳体2设置在衬底1的上方,壳体2的中心设有反射凹腔3,凸台11设置在反射凹腔3内,壳体2上设有台阶21,第一电极引脚4和第二电极引脚5镶嵌在壳体2内,且第一电极引脚的内端41和第二电极引脚的内端51设置在台阶21的上方,且第一电极引脚的内端41和第二电极引脚的内端51与凸台11的上表面高度相同,数颗LED芯片6设置在反射凹腔3内,并与凸台11固定连接,各LED芯片6之间及LED芯片6与第一电极引脚和第二电极引脚5之间通过金属导线7连接,封装材料8设置在反射凹腔3内。 

所述的衬底1为金属材质,底部为平板状。 

所述的壳体2为一个空心的环圈状结构,它采用绝缘材质制成,如PPA,陶瓷等。 

所述的第一电极引脚的内端41和第二电极引脚的内端51为导线 区。 

所述的封装材料8将LED芯片6和金属导线7覆盖,可以保护LED芯片6和金属导线7。 

具体实施二: 

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