[实用新型]MOS管降压电路、变压电路以及液晶电视有效

专利信息
申请号: 201220636959.0 申请日: 2012-11-27
公开(公告)号: CN202917966U 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 刘海丰 申请(专利权)人: 青岛海信电器股份有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 代理人: 张岱
地址: 266555 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: mos 降压 电路 变压 以及 液晶电视
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子、电路领域,尤其涉及一种MOS管降压电路、变压电路以及液晶电视。

背景技术

在电路的设计中,可以采用MOS管进行降压,这种MOS管称为MOS降压管。在工作过程中,如果流过较大的电流或者电流超过MOS降压管的极限值,MOS降压管将因为功率过高而损坏。例如在电压设计中,变压电路往往有两组及以上的绕组输出不同的电压,通常会采用线性稳压电路来保证输出电压处于一定的范围内,该线性稳压电路中就存在上述MOS降压管。在变压电路过载或短路时,输出电流过大,极易引起线性稳压电路中MOS降压管温度升高、以致损坏或击穿。

针对上述问题,如图1所示,现有的保护上述MOS降压管V102的方法采用驱动芯片以及其他的外围电路进行限流保护。其中,驱动芯片的电流检测引脚CS具有检测大电流的作用,驱动芯片内集成了限流保护功能。通过检测到的流经与其相连的、漏极连接在变压绕组T101初级侧的MOS管Vl0l的大电流反馈至驱动芯片的引脚CS,驱动芯片驱动引脚DRV停止输出。

但是该电路限流保护作用的实现是需要通过变压电路将大电流反馈至初级侧,而当出现过载现象严重或短路时,初级侧还没来得及进行取样检测,MOS降压管Vl02已经由于大电流的冲击而被损坏,从而由于通过驱动芯片采样限流保护的滞后性,并不能阻止电流突然升高导致的MOS降压管Vl01的击穿。

实用新型内容

为克服上述问题,本实用新型提供一种当过载或短路时,能有效对MOS降压管进行分流从而保护MOS降压管的MOS管降压电路、变压电路以及液晶电视。

为达上述目的,本实用新型MOS管降压电路,包括电压输入端以及漏极连接在所述电压输入端正极的MOS降压管,所述MOS降压管的源极以及栅极的后端连接有负载,所述MOS管降压电路还包括第一电阻以及第一开关管;

所述第一电阻一端与所述电压输入端正极电相连,另一端分别与所述MOS降压管的漏极以及所述第一开关管开关控制端相连;

所述第一开关管的输入端连接在所述电压输入端正极,输出端连接有分流电路,开关控制端连接在所述MOS降压管漏极,用于当所述MOS管降压电路电流大于额定值时且所述第一电阻上的压降大于所述第一开关管的开启电压时分流。

优选地,在所述第一开关管的输入端与所述电压输入端之间连接有第二电阻。

优选地,所述MOS管降压电路还包括第二开关管;所述第二开关管的输入端连接在所述电压输入端的正极,输出端连接在所述MOS降压管的栅极,开关控制端连接在所述第二电阻与所述第一开关管的输入端之间;

当所述第二电阻上有电流流经,所述第二电阻上的压降大于所述第二开关管的开启电压,所述第二开关管导通并有电流流过;

当所述第二电阻上无电流流经,所述第二电阻上的压降小于所述第二开关管的开启电压,所述第二开关管关闭并无电流流过。

优选地,所述第一开关管和/或所述第二开关管均为三极管;所述输入端为三极管的集电极;所述输出端为三极管的发射极,所述开关控制端为基极。

优选地,所述第一开关管和/或所述第二开关管均为MOS管;所述输入端为MOS管的漏极;所述输出端为MOS管的源极;所述开关控制端为MOS管的栅极。

优选地,所述第一开关管的输出端连接在一单向导通管的正向导通端;所述的单向导通管的反向截止端连接在所述第二电阻的前端。

优选地,所述MOS管降压电路还包括第一电容以及第二电容;所述第一电容与所述电压输入端连接;所述第二电容连接在所述第一电阻、MOS降压管以及所述第一开关管的连接处。

本实用新型变压电路,包括变压绕组,在所述变压绕组次级的电压输入端连接有第一MOS管以及一端连接在所述第一MOS管栅极的线性稳压控制模块,所述变压电路还包括上述的MOS管降压电路,其中所述第一MOS管为所述MOS降压管。

进一步地,所述变压电路还包括第二MOS管以及驱动芯片;所述第二MOS管的漏极连接在所述变压绕组初级;所述第二MOS管的源极与所述驱动芯片的电流检测引脚相连,栅极与所述驱动芯片的驱动引脚相连,其中所述驱动芯片内集成有限流保护电路。

本实用新型液晶电视,包括电源变压电路,所述电源变压电路为上述变压电路。

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