[实用新型]高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头有效
| 申请号： | 201220637857.0 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN202974955U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 薛兴;李宝强;钟庆华 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N29/24 | 分类号： | G01N29/24 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 欧阳波 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 脉冲 聚焦 超声波 探头 | ||
【权利要求书】：
1.高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头，包括压电晶片（5）、背衬（3）和外壳（2），圆筒形的外壳（2）一端安装压电晶片（5），另一端为接头（1），连接压电晶片（5）的电缆线（4）从接头（1）引出，外壳（2）内在压电晶片（5）后方安装有背衬（3），其特征在于：
所述压电晶片（5）前方、外壳（2）端部安装声透镜（6）；所述外壳（2）的外部为密封。
2.根据权利要求1所述的高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头，其特征在于：
所述超声波探头为8MHz～16MHz的高频超声波探头。
3.根据权利要求2所述的高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头，其特征在于：
所述超声波探头为为产生脉冲宽度70ns～200ns的窄脉冲超声波探头。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头，其特征在于：
所述压电晶片（5）为直径5～8mm的小晶片。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头，其特征在于：
所述压电晶片（5）为钛酸锂材料晶片。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的高频窄脉冲水浸聚焦超声波探头，其特征在于：
所述电缆线（4）为双层屏蔽高频同轴电缆线。
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