[实用新型]一种合成结构的高压器件有效
| 申请号： | 201220637863.6 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203055909U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李照华;林道明;赵春波;胡乔;戴文芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市明微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 郑瑜生 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合成 结构 高压 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种合成结构的高压器件，其特征在于，包括高压功率管HVNMOS和JFET管，
所述高压功率管HVNMOS包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的P型阱区Pwell；
所述JFET管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的N型阱区Nwell；
所述高压功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏极，所述漏极采用N型双扩散工艺。
2.如权利要求1所述的合成结构的高压器件，其特征在于，所述衬底上还包括掩埋层Bury P和深N型阱区Deep Nwell，用于提高器件的耐压值和可靠性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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